Стабилитрон на 12 V питается от 24 V через резистор 220 Ω, нагрузка не подключена. Найдите ток IR в резисторе.
Диоды и транзисторы: лист заданий с ответами
Источник постоянного напряжения 9 V через резистор R₁ = 2,2 kΩ подключён к узлу X. От узла X к отрицательному зажиму источника идут две параллельные ветви: резистор R₂ = 4,7 kΩ и кремниевый диод, анод которого подключён к X. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V. Найдите ток диода ID в mA.
NPN-транзистор с β = 120 смещён делителем напряжения от VCC = 15 V: R₁ = 22 kΩ от VCC к базе и R₂ = 6,8 kΩ от базы к земле. Резистор коллектора RC = 2,2 kΩ, резистор эмиттера RE = 1 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и используйте эквивалент Тевенена для делителя (ток базы не пренебрегайте). Найдите напряжение коллектор–эмиттер VCE.
NPN-транзистор с β = 100 смещён делителем напряжения от VCC = 18 V: R₁ = 68 kΩ от VCC к базе и R₂ = 12 kΩ от базы к земле. Резистор коллектора RC = 1,5 kΩ, резистор эмиттера RE = 1,5 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и используйте эквивалент Тевенена для делителя (ток базы не пренебрегайте). Найдите ток коллектора IC в mA.
NPN-транзистор с β = 150 коммутирует нагрузочный резистор 150 Ω, включённый между VCC = 5 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 5 V через резистор базы RB. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Для надёжного переключения рассчитайте ток базы в 5 раз больше минимального, нужного для насыщения. Найдите RB в kΩ.
NPN-транзистор с β = 200 коммутирует нагрузочный резистор 330 Ω, включённый между VCC = 5 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 3,3 V через резистор базы RB. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Найдите наибольшее сопротивление резистора базы RB, в kΩ, при котором транзистор ещё входит в насыщение.
Ответы
- 1. IR = 54,55 mA
- 2. ID = 3,624 mA
- 3. VCE = 6,331 V
- 4. IC = 1,237 mA
- 5. RB = 4,031 kΩ
- 6. RB = 35,75 kΩ
Полные пошаговые решения: занимайтесь этой темой на examproblems.com.