Источник постоянного напряжения 10 V пропускает ток через резистор 330 Ω, последовательно соединённый с кремниевым диодом, смещённым в прямом направлении. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V на каждом открытом диоде. Найдите ток I в mA.
Источник постоянного напряжения 9 V через резистор R₁ = 470 Ω подключён к узлу X. От узла X к отрицательному зажиму источника идут две параллельные ветви: резистор R₂ = 680 Ω и кремниевый диод, анод которого подключён к X. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V. Найдите ток диода ID в mA.
NPN-транзистор с β = 200 смещён делителем напряжения от VCC = 15 V: R₁ = 82 kΩ от VCC к базе и R₂ = 12 kΩ от базы к земле. Резистор коллектора RC = 1 kΩ, резистор эмиттера RE = 1,5 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и используйте эквивалент Тевенена для делителя (ток базы не пренебрегайте). Найдите напряжение коллектор–эмиттер VCE.
Светодиодов: 3 (зелёные), прямое напряжение 2,2 V у каждого; они соединены последовательно с резистором к источнику 9 V. Найдите сопротивление R, при котором ток равен 25 mA.
NPN-транзистор с β = 50 коммутирует нагрузочный резистор 220 Ω, включённый между VCC = 24 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 5 V через резистор базы RB. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Для надёжного переключения рассчитайте ток базы в 10 раз больше минимального, нужного для насыщения. Найдите RB в kΩ.
NPN-транзистор с β = 200 коммутирует нагрузочный резистор 100 Ω, включённый между VCC = 9 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 5 V через резистор базы RB = 47 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Найдите ток коллектора IC в mA при высоком уровне на входе. Сначала определите, насыщен ли транзистор.
Полные пошаговые решения: занимайтесь этой темой на examproblems.com.