Светодиод (красные) с прямым напряжением 2 V питается от источника 5 V через последовательный резистор. Найдите сопротивление R, при котором ток светодиода равен 5 mA.
Диоды и транзисторы: лист заданий с ответами
Источник постоянного напряжения 5 V через резистор R₁ = 330 Ω подключён к узлу X. От узла X к отрицательному зажиму источника идут две параллельные ветви: резистор R₂ = 1 kΩ и кремниевый диод, анод которого подключён к X. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V. Найдите ток диода ID в mA.
NPN-транзистор с β = 200 смещён делителем напряжения от VCC = 18 V: R₁ = 82 kΩ от VCC к базе и R₂ = 22 kΩ от базы к земле. Резистор коллектора RC = 3,3 kΩ, резистор эмиттера RE = 2,2 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и используйте эквивалент Тевенена для делителя (ток базы не пренебрегайте). Найдите ток коллектора IC в mA.
NPN-транзистор с β = 120 смещён делителем напряжения от VCC = 18 V: R₁ = 39 kΩ от VCC к базе и R₂ = 6,8 kΩ от базы к земле. Резистор коллектора RC = 4,7 kΩ, резистор эмиттера RE = 680 Ω. Примите VBE = 0,7 V и используйте эквивалент Тевенена для делителя (ток базы не пренебрегайте). Найдите напряжение коллектор–эмиттер VCE.
Диод моделируется напряжением 0,65 V последовательно с 25 Ω (он проводит выше 0,65 V). Он включён последовательно с резистором 150 Ω к источнику 9 V. Найдите рабочий ток ID в точке пересечения характеристики диода и нагрузочной прямой.
NPN-транзистор с β = 80 коммутирует нагрузочный резистор 1 kΩ, включённый между VCC = 24 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 3,3 V через резистор базы RB. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Найдите наибольшее сопротивление резистора базы RB, в kΩ, при котором транзистор ещё входит в насыщение.
Ответы
- 1. R = 600 Ω
- 2. ID = 12,33 mA
- 3. IC = 1,353 mA
- 4. VCE = 3,525 V
- 5. ID = 47,71 mA
- 6. RB = 8,739 kΩ
Полные пошаговые решения: занимайтесь этой темой на examproblems.com.