Источник постоянного напряжения 12 V пропускает ток через резистор 330 Ω, последовательно соединённый с двумя кремниевыми диодами, смещёнными в прямом направлении. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V на каждом открытом диоде. Найдите ток I в mA.
Светодиод (белый) с прямым напряжением 3 V питается от источника 5 V через последовательный резистор. Найдите сопротивление R, при котором ток светодиода равен 5 mA.
NPN-транзистор с β = 100 смещён делителем напряжения от VCC = 20 V: R₁ = 47 kΩ от VCC к базе и R₂ = 4,7 kΩ от базы к земле. Резистор коллектора RC = 3,3 kΩ, резистор эмиттера RE = 1,2 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и используйте эквивалент Тевенена для делителя (ток базы не пренебрегайте). Найдите ток коллектора IC в mA.
NPN-транзистор с β = 150 смещён делителем напряжения от VCC = 12 V: R₁ = 22 kΩ от VCC к базе и R₂ = 12 kΩ от базы к земле. Резистор коллектора RC = 1 kΩ, резистор эмиттера RE = 1,5 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и используйте эквивалент Тевенена для делителя (ток базы не пренебрегайте). Найдите напряжение коллектор–эмиттер VCE.
Диод моделируется напряжением 0,65 V последовательно с 25 Ω (он проводит выше 0,65 V). Он включён последовательно с резистором 100 Ω к источнику 9 V. Найдите рабочий ток ID в точке пересечения характеристики диода и нагрузочной прямой.
NPN-транзистор с β = 50 коммутирует нагрузочный резистор 330 Ω, включённый между VCC = 5 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 5 V через резистор базы RB = 2,2 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Найдите ток коллектора IC в mA при высоком уровне на входе. Сначала определите, насыщен ли транзистор.
Полные пошаговые решения: занимайтесь этой темой на examproblems.com.