Светодиод (белый) с прямым напряжением 3 V питается от источника 9 V через последовательный резистор. Найдите сопротивление R, при котором ток светодиода равен 25 mA.
Диоды и транзисторы: лист заданий с ответами
Источник постоянного напряжения 10 V пропускает ток через резистор 330 Ω, последовательно соединённый с кремниевым диодом, смещённым в прямом направлении. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V на каждом открытом диоде. Найдите ток I в mA.
NPN-транзистор с β = 80 смещён делителем напряжения от VCC = 20 V: R₁ = 100 kΩ от VCC к базе и R₂ = 22 kΩ от базы к земле. Резистор коллектора RC = 1 kΩ, резистор эмиттера RE = 1 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и используйте эквивалент Тевенена для делителя (ток базы не пренебрегайте). Найдите напряжение коллектор–эмиттер VCE.
NPN-транзистор с β = 200 смещён делителем напряжения от VCC = 18 V: R₁ = 82 kΩ от VCC к базе и R₂ = 15 kΩ от базы к земле. Резистор коллектора RC = 3,3 kΩ, резистор эмиттера RE = 1 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и используйте эквивалент Тевенена для делителя (ток базы не пренебрегайте). Найдите ток коллектора IC в mA.
NPN-транзистор с β = 100 коммутирует нагрузочный резистор 220 Ω, включённый между VCC = 9 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 3,3 V через резистор базы RB = 4,7 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Найдите ток коллектора IC в mA при высоком уровне на входе. Сначала определите, насыщен ли транзистор.
NPN-транзистор с β = 100 коммутирует нагрузочный резистор 680 Ω, включённый между VCC = 12 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 3,3 V через резистор базы RB. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Для надёжного переключения рассчитайте ток базы в 5 раз больше минимального, нужного для насыщения. Найдите RB в kΩ.
Ответы
- 1. R = 240 Ω
- 2. I = 28,18 mA
- 3. VCE = 15,27 V
- 4. IC = 1,95 mA
- 5. IC = 40 mA
- 6. RB = 2,997 kΩ
Полные пошаговые решения: занимайтесь этой темой на examproblems.com.