Источник постоянного напряжения 5 V через резистор R₁ = 1 kΩ подключён к узлу X. От узла X к отрицательному зажиму источника идут две параллельные ветви: резистор R₂ = 1 kΩ и кремниевый диод, анод которого подключён к X. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V. Найдите ток диода ID в mA.
Источник постоянного напряжения 12 V через резистор R₁ = 1,5 kΩ подключён к узлу X. От узла X к отрицательному зажиму источника идут две параллельные ветви: резистор R₂ = 2,2 kΩ и кремниевый диод, анод которого подключён к X. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V. Найдите ток диода ID в mA.
NPN-транзистор с β = 50 смещён резистором базы RB = 100 kΩ от источника питания VCC = 9 V. Резистор коллектора RC = 1,2 kΩ, эмиттер заземлён. Примите VBE = 0,7 V и считайте, что транзистор работает в активном режиме. Найдите напряжение коллектор–эмиттер VCE.
Стабилизатор на стабилитроне 9,1 V питается от 20 V через 270 Ω и питает нагрузку 470 Ω. Найдите ток стабилитрона IZ.
Стабилизатор на стабилитроне 5,6 V имеет последовательный резистор 680 Ω. Входное напряжение может подниматься до 21 V, а нагрузка может быть отключена. Найдите наибольшую мощность PZ,max, которую должен рассеивать стабилитрон.
NPN-транзистор с β = 200 коммутирует нагрузочный резистор 100 Ω, включённый между VCC = 12 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 3,3 V через резистор базы RB. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Для надёжного переключения рассчитайте ток базы в 2 раз больше минимального, нужного для насыщения. Найдите RB в kΩ.
Полные пошаговые решения: занимайтесь этой темой на examproblems.com.