Источник постоянного напряжения 9 V пропускает ток через резистор 3,3 kΩ, последовательно соединённый с кремниевым диодом, смещённым в прямом направлении. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V на каждом открытом диоде. Найдите ток I в mA.
Источник постоянного напряжения 12 V пропускает ток через резистор 4,7 kΩ, последовательно соединённый с двумя кремниевыми диодами, смещёнными в прямом направлении. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V на каждом открытом диоде. Найдите ток I в mA.
NPN-транзистор с β = 100 смещён резистором базы RB = 820 kΩ от источника питания VCC = 10 V. Резистор коллектора RC = 1 kΩ, эмиттер заземлён. Примите VBE = 0,7 V и считайте, что транзистор работает в активном режиме. Найдите ток коллектора IC в mA.
NPN-транзистор с β = 80 смещён резистором базы RB = 220 kΩ от источника питания VCC = 10 V. Резистор коллектора RC = 470 Ω, эмиттер заземлён. Примите VBE = 0,7 V и считайте, что транзистор работает в активном режиме. Найдите напряжение коллектор–эмиттер VCE.
NPN-транзистор с β = 200 коммутирует нагрузочный резистор 680 Ω, включённый между VCC = 9 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 5 V через резистор базы RB = 22 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Найдите ток коллектора IC в mA при высоком уровне на входе. Сначала определите, насыщен ли транзистор.
Диод моделируется напряжением 0,65 V последовательно с 10 Ω (он проводит выше 0,65 V). Он включён последовательно с резистором 100 Ω к источнику 9 V. Найдите рабочий ток ID в точке пересечения характеристики диода и нагрузочной прямой.
Полные пошаговые решения: занимайтесь этой темой на examproblems.com.