Источник постоянного напряжения 15 V через резистор R₁ = 330 Ω подключён к узлу X. От узла X к отрицательному зажиму источника идут две параллельные ветви: резистор R₂ = 2,2 kΩ и кремниевый диод, анод которого подключён к X. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V. Найдите ток диода ID в mA.
Диоды и транзисторы: лист заданий с ответами
Источник постоянного напряжения 5 V через резистор R₁ = 470 Ω подключён к узлу X. От узла X к отрицательному зажиму источника идут две параллельные ветви: резистор R₂ = 470 Ω и кремниевый диод, анод которого подключён к X. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V. Найдите ток диода ID в mA.
NPN-транзистор с β = 120 смещён резистором базы RB = 1000 kΩ от источника питания VCC = 12 V. Резистор коллектора RC = 2,2 kΩ, эмиттер заземлён. Примите VBE = 0,7 V и считайте, что транзистор работает в активном режиме. Найдите ток коллектора IC в mA.
NPN-транзистор с β = 80 смещён резистором базы RB = 1000 kΩ от источника питания VCC = 15 V. Резистор коллектора RC = 4,7 kΩ, эмиттер заземлён. Примите VBE = 0,7 V и считайте, что транзистор работает в активном режиме. Найдите ток коллектора IC в mA.
NPN-транзистор с β = 150 коммутирует нагрузочный резистор 100 Ω, включённый между VCC = 5 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 3,3 V через резистор базы RB = 2,2 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Найдите ток коллектора IC в mA при высоком уровне на входе. Сначала определите, насыщен ли транзистор.
NPN-транзистор с β = 50 коммутирует нагрузочный резистор 150 Ω, включённый между VCC = 24 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 5 V через резистор базы RB. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Найдите наибольшее сопротивление резистора базы RB, в kΩ, при котором транзистор ещё входит в насыщение.
Ответы
- 1. ID = 43,02 mA
- 2. ID = 7,66 mA
- 3. IC = 1,356 mA
- 4. IC = 1,144 mA
- 5. IC = 48 mA
- 6. RB = 1,355 kΩ
Полные пошаговые решения: занимайтесь этой темой на examproblems.com.