Источник постоянного напряжения 24 V пропускает ток через резистор 4,7 kΩ, последовательно соединённый с кремниевым диодом, смещённым в прямом направлении. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V на каждом открытом диоде. Найдите ток I в mA.
Диоды и транзисторы: лист заданий с ответами
Источник постоянного напряжения 6 V через резистор R₁ = 470 Ω подключён к узлу X. От узла X к отрицательному зажиму источника идут две параллельные ветви: резистор R₂ = 470 Ω и кремниевый диод, анод которого подключён к X. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V. Найдите ток диода ID в mA.
Стабилизатор на стабилитроне 5,6 V питается от 12 V через 150 Ω и питает нагрузку 2200 Ω. Найдите ток стабилитрона IZ.
NPN-транзистор с β = 100 смещён делителем напряжения от VCC = 18 V: R₁ = 33 kΩ от VCC к базе и R₂ = 22 kΩ от базы к земле. Резистор коллектора RC = 1,5 kΩ, резистор эмиттера RE = 1,5 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и используйте эквивалент Тевенена для делителя (ток базы не пренебрегайте). Найдите напряжение коллектор–эмиттер VCE.
NPN-транзистор с β = 200 коммутирует нагрузочный резистор 470 Ω, включённый между VCC = 12 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 5 V через резистор базы RB. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Найдите наибольшее сопротивление резистора базы RB, в kΩ, при котором транзистор ещё входит в насыщение.
NPN-транзистор с β = 50 коммутирует нагрузочный резистор 330 Ω, включённый между VCC = 5 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 5 V через резистор базы RB = 22 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Найдите ток коллектора IC в mA при высоком уровне на входе. Сначала определите, насыщен ли транзистор.
Ответы
- 1. I = 4,957 mA
- 2. ID = 9,787 mA
- 3. IZ = 40,12 mA
- 4. VCE = 6,101 V
- 5. RB = 34,25 kΩ
- 6. IC = 9,773 mA
Полные пошаговые решения: занимайтесь этой темой на examproblems.com.