Источник постоянного напряжения 10 V пропускает ток через резистор 3,3 kΩ, последовательно соединённый с двумя кремниевыми диодами, смещёнными в прямом направлении. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V на каждом открытом диоде. Найдите ток I в mA.
Диоды и транзисторы: лист заданий с ответами
Источник постоянного напряжения 24 V пропускает ток через резистор 330 Ω, последовательно соединённый с кремниевым диодом, смещённым в прямом направлении. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V на каждом открытом диоде. Найдите ток I в mA.
NPN-транзистор с β = 120 смещён делителем напряжения от VCC = 18 V: R₁ = 47 kΩ от VCC к базе и R₂ = 4,7 kΩ от базы к земле. Резистор коллектора RC = 2,7 kΩ, резистор эмиттера RE = 1,2 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и используйте эквивалент Тевенена для делителя (ток базы не пренебрегайте). Найдите ток коллектора IC в mA.
NPN-транзистор с β = 120 смещён делителем напряжения от VCC = 15 V: R₁ = 56 kΩ от VCC к базе и R₂ = 8,2 kΩ от базы к земле. Резистор коллектора RC = 1 kΩ, резистор эмиттера RE = 1,5 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и используйте эквивалент Тевенена для делителя (ток базы не пренебрегайте). Найдите напряжение коллектор–эмиттер VCE.
Стабилизатор на стабилитроне 6,2 V имеет последовательный резистор 150 Ω. Входное напряжение может подниматься до 24 V, а нагрузка может быть отключена. Найдите наибольшую мощность PZ,max, которую должен рассеивать стабилитрон.
NPN-транзистор с β = 200 коммутирует нагрузочный резистор 150 Ω, включённый между VCC = 5 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 5 V через резистор базы RB. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Для надёжного переключения рассчитайте ток базы в 3 раз больше минимального, нужного для насыщения. Найдите RB в kΩ.
Ответы
- 1. I = 2,606 mA
- 2. I = 70,61 mA
- 3. IC = 0,7517 mA
- 4. VCE = 13,06 V
- 5. PZ,max = 735,7 mW
- 6. RB = 8,958 kΩ
Полные пошаговые решения: занимайтесь этой темой на examproblems.com.