Источник постоянного напряжения 10 V через резистор R₁ = 470 Ω подключён к узлу X. От узла X к отрицательному зажиму источника идут две параллельные ветви: резистор R₂ = 1,5 kΩ и кремниевый диод, анод которого подключён к X. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V. Найдите ток диода ID в mA.
Источник постоянного напряжения 24 V пропускает ток через резистор 3,3 kΩ, последовательно соединённый с двумя кремниевыми диодами, смещёнными в прямом направлении. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V на каждом открытом диоде. Найдите ток I в mA.
NPN-транзистор с β = 150 смещён делителем напряжения от VCC = 12 V: R₁ = 56 kΩ от VCC к базе и R₂ = 8,2 kΩ от базы к земле. Резистор коллектора RC = 4,7 kΩ, резистор эмиттера RE = 1,2 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и используйте эквивалент Тевенена для делителя (ток базы не пренебрегайте). Найдите напряжение коллектор–эмиттер VCE.
NPN-транзистор с β = 100 смещён делителем напряжения от VCC = 18 V: R₁ = 68 kΩ от VCC к базе и R₂ = 22 kΩ от базы к земле. Резистор коллектора RC = 2,7 kΩ, резистор эмиттера RE = 1 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и используйте эквивалент Тевенена для делителя (ток базы не пренебрегайте). Найдите напряжение коллектор–эмиттер VCE.
NPN-транзистор с β = 50 коммутирует нагрузочный резистор 330 Ω, включённый между VCC = 9 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 5 V через резистор базы RB. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Найдите наибольшее сопротивление резистора базы RB, в kΩ, при котором транзистор ещё входит в насыщение.
NPN-транзистор с β = 80 коммутирует нагрузочный резистор 150 Ω, включённый между VCC = 12 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 3,3 V через резистор базы RB. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Для надёжного переключения рассчитайте ток базы в 3 раз больше минимального, нужного для насыщения. Найдите RB в kΩ.
Полные пошаговые решения: занимайтесь этой темой на examproblems.com.