Диоды и транзисторы: лист заданий с ответами

Бесплатный лист заданий для печати по теме «Диоды и транзисторы»: 6 задач от простых до экзаменационного уровня, с ответами. Распечатайте его или сохраните как PDF.

Для преподавателей: можно бесплатно печатать, копировать и использовать на занятиях. Каждый новый лист содержит новые значения и собственные ответы. Будем благодарны за ссылку на ExamProblems на странице вашего курса.

Имя: ____________________   Дата: ____________

1.Лёгкая
+−12 V220 Ω3,3 VIR​ = ?

Стабилитрон на 3,3 V питается от 12 V через резистор 220 Ω, нагрузка не подключена. Найдите ток IR в резисторе.

Vin = 12 VVZ = 3,3 VR = 220 Ω
IR = mA
2.Лёгкая
+−18 V100 Ω5,1 VIR​ = ?

Стабилитрон на 5,1 V питается от 18 V через резистор 100 Ω, нагрузка не подключена. Найдите ток IR в резисторе.

Vin = 18 VVZ = 5,1 VR = 100 Ω
IR = mA
3.Средняя
+−24 VR = ?5 × 3 V5 mA

Светодиодов: 5 (белый), прямое напряжение 3 V у каждого; они соединены последовательно с резистором к источнику 24 V. Найдите сопротивление R, при котором ток равен 5 mA.

Vs = 24 VVF = 3 Vn = 5I = 5 mA
R = Ω
4.Средняя
RC​ = 2,7 kΩβ = 120RE​ = 2,2 kΩVCC​ = 18 VR1​ = 39 kΩR2​ = 15 kΩ

NPN-транзистор с β = 120 смещён делителем напряжения от VCC = 18 V: R₁ = 39 kΩ от VCC к базе и R₂ = 15 kΩ от базы к земле. Резистор коллектора RC = 2,7 kΩ, резистор эмиттера RE = 2,2 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и используйте эквивалент Тевенена для делителя (ток базы не пренебрегайте). Найдите напряжение коллектор–эмиттер VCE.

VCC = 18 VR1 = 39 kΩR2 = 15 kΩRC = 2,7 kΩRE = 2,2 kΩβ = 120
VCE = V
5.Сложная
V (V)I (mA)0,65660Q = ?

Диод моделируется напряжением 0,65 V последовательно с 25 Ω (он проводит выше 0,65 V). Он включён последовательно с резистором 100 Ω к источнику 6 V. Найдите рабочий ток ID в точке пересечения характеристики диода и нагрузочной прямой.

Vs = 6 VR = 100 ΩV0 = 0,65 Vrd = 25 Ω
ID = mA
6.Сложная
RC​ = 330 Ωβ = 80VCC​ = 24 V3,3 VRB​ = ?

NPN-транзистор с β = 80 коммутирует нагрузочный резистор 330 Ω, включённый между VCC = 24 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 3,3 V через резистор базы RB. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Найдите наибольшее сопротивление резистора базы RB, в kΩ, при котором транзистор ещё входит в насыщение.

VCC = 24 VRC = 330 Ωβ = 80Vin = 3,3 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 V
RB = kΩ

Ответы

  1. 1. IR = 39,55 mA
  2. 2. IR = 129 mA
  3. 3. R = 1800 Ω
  4. 4. VCE = 8,839 V
  5. 5. ID = 42,8 mA
  6. 6. RB = 2,884 kΩ

Полные пошаговые решения: занимайтесь этой темой на examproblems.com.