Источник постоянного напряжения 5 V через резистор R₁ = 330 Ω подключён к узлу X. От узла X к отрицательному зажиму источника идут две параллельные ветви: резистор R₂ = 10 kΩ и кремниевый диод, анод которого подключён к X. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V. Найдите ток диода ID в mA.
Стабилитрон на 3,3 V питается от 9 V через резистор 150 Ω, нагрузка не подключена. Найдите ток IR в резисторе.
NPN-транзистор с β = 150 смещён делителем напряжения от VCC = 20 V: R₁ = 39 kΩ от VCC к базе и R₂ = 6,8 kΩ от базы к земле. Резистор коллектора RC = 5,6 kΩ, резистор эмиттера RE = 1,5 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и используйте эквивалент Тевенена для делителя (ток базы не пренебрегайте). Найдите ток коллектора IC в mA.
NPN-транзистор с β = 150 смещён резистором базы RB = 680 kΩ от источника питания VCC = 9 V. Резистор коллектора RC = 1 kΩ, эмиттер заземлён. Примите VBE = 0,7 V и считайте, что транзистор работает в активном режиме. Найдите напряжение коллектор–эмиттер VCE.
Диод моделируется напряжением 0,6 V последовательно с 20 Ω (он проводит выше 0,6 V). Он включён последовательно с резистором 150 Ω к источнику 12 V. Найдите рабочий ток ID в точке пересечения характеристики диода и нагрузочной прямой.
NPN-транзистор с β = 80 коммутирует нагрузочный резистор 680 Ω, включённый между VCC = 24 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 3,3 V через резистор базы RB. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Найдите наибольшее сопротивление резистора базы RB, в kΩ, при котором транзистор ещё входит в насыщение.
Полные пошаговые решения: занимайтесь этой темой на examproblems.com.