อิเล็กทรอนิกส์ 1: ชุดสรุปเร่งรัด

สรุปสูตร ขั้นตอนวิธีทำที่สำคัญของทุกหัวข้อ และโจทย์ฝึก 14 ข้อ พร้อมเฉลยละเอียดไว้ท้ายเล่ม

โจทย์ใหม่กลับไปที่รายวิชา

ในหน้าต่างพิมพ์ ให้เลือก “บันทึกเป็น PDF” เพื่อเก็บสำเนาไว้ในอุปกรณ์ของคุณ

1สูตรและวิธีทำ

ไดโอดและทรานซิสเตอร์

ไดโอด (แรงดันตกคงที่)
VD = 0.7 V when conducting
บริเวณแอกทีฟ
VBE = 0.7 V, IC = β·IB, IE = (β + 1)·IB
ไบแอสคงที่
IB = (VCC − 0.7)/RB
ไบแอสแบบแบ่งแรงดัน
IB = (VTH − 0.7)/(RTH + (β + 1)RE)
เทวินินของตัวแบ่งแรงดัน
VTH = VCC·R2/(R1 + R2), RTH = R1∥R2
ลูปคอลเลกเตอร์
VCE = VCC − ICRC − IERE
ภาวะอิ่มตัว
IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC, IB ≥ IC(sat)/β

วงจรออปแอมป์

เครื่องขยายแบบกลับเฟส
Vout = −(Rf/Rin)·Vin
เครื่องขยายแบบไม่กลับเฟส
Vout = (1 + Rf/R1)·Vin
เครื่องขยายแบบรวมสัญญาณ
Vout = −Rf(V1/R1 + V2/R2)
ออปแอมป์อุดมคติ
V+ = V−, Iin = 0

ทรานเซียนต์ RC และ RL

ค่าคงตัวเวลา
τ = RC | τ = L/R
การตอบสนอง
x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ
ตัวเก็บประจุที่ไฟฟ้ากระแสตรง
วงจรเปิด vC กระโดดไม่ได้
ตัวเหนี่ยวนำที่ไฟฟ้ากระแสตรง
ลัดวงจร iL กระโดดไม่ได้
นิ่งแล้ว
t ≈ 5τ

วิธีการ

  1. หาค่าเริ่มต้นทันทีหลังสวิตช์: แรงดันตัวเก็บประจุและกระแสตัวเหนี่ยวนำกระโดดไม่ได้
  2. หาค่าสุดท้ายเมื่อสวิตช์ผ่านไปนาน: ตัวเก็บประจุทำตัวเป็นวงจรเปิด ตัวเหนี่ยวนำทำตัวเป็นลัดวงจร
  3. หาค่าคงตัวเวลา: τ = RC หรือ τ = L/R โดยใช้ความต้านทานที่ตัวเก็บประจุหรือตัวเหนี่ยวนำมองเห็น
  4. ใช้ x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ

ตัวต้านทานอนุกรมและขนาน

ตัวต้านทานอนุกรม
Req = R1 + R2 + …
ตัวต้านทานขนาน
1/Req = 1/R1 + 1/R2 + …
สองตัวขนานกัน
Req = R1R2 / (R1 + R2)
กฎของโอห์ม
V = I·R
กำลัง
P = V·I = I²R = V²/R

วิธีการ

  1. เริ่มจากปลายของโครงข่ายที่ไกลจากขั้วที่สุด
  2. รวมตัวต้านทานอนุกรมโดยบวกกัน และตัวต้านทานขนานด้วย 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …
  3. วาดวงจรใหม่หลังทุกขั้นตอน
  4. ทำซ้ำจนเหลือตัวต้านทานตัวเดียวระหว่างขั้ว

ตัวแปลง DC-DC

บัค
Vo = D·Vin
บูสต์
Vo = Vin/(1 − D)
บัค-บูสต์แบบกลับขั้ว
|Vo| = Vin·D/(1 − D)
สมดุลกำลังในอุดมคติ
VinIin = VoIo
ริปเปิลของตัวเหนี่ยวนำ
ΔIL = VL,on·D/(L·f); buck Vin − Vo, boost and buck-boost Vin
กระแสเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำ
บัค Io; บูสต์และบัค-บูสต์ Io/(1 − D)
ริปเปิลเอาต์พุต
บัค ΔIL/(8fC); บูสต์และบัค-บูสต์ Io·D/(fC)
ขอบเขต CCM
บัค (1 − D)R/(2f); บูสต์ D(1 − D)²R/(2f); บัค-บูสต์ (1 − D)²R/(2f)

วิธีการ

  1. ระบุตัวแปลง (บัค บูสต์ หรือบัค-บูสต์) และดิวตี้ไซเคิล D จากอัตราส่วนแรงดัน
  2. ใช้สมดุลโวลต์-วินาทีของตัวเหนี่ยวนำ: แรงดันเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำตลอดหนึ่งคาบเป็นศูนย์
  3. หาแรงดันตัวเหนี่ยวนำขณะสวิตช์เปิด แล้วหา ΔIL = VL·D/(L·f)
  4. สำหรับริปเปิลเอาต์พุต ให้หาประจุที่ไหลเข้าและออกจากตัวเก็บประจุ สำหรับขอบเขต CCM ให้ตั้งกระแสเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำเท่ากับ ΔIL/2

บริดจ์วีตสโตนและสเตรนเกจ

แรงดันตัวแบ่งแรงดัน
Va = VsR2/(R1 + R2), Vb = VsR4/(R3 + R4)
สารน้ำออก
Vab = Va − Vb
ดุล
R1/R2 = R3/R4
สไลด์ไวร์บริดจ์
R/Rx = l/(100 − l)
ความต้านทานเทวินิน
Rth = R1∥R2 + R3∥R4
ตัวประกอบเกจ
ΔR/R = GF·ε
เอาต์พุตของบริดจ์
ควอเตอร์ Vs·GF·ε/4, ฮาล์ฟ Vs·GF·ε/2, ฟูล Vs·GF·ε
การเปลี่ยนแปลงเล็กน้อย แขนเดียว
Vab ≈ Vs·ΔR/(4R)
ความเค้น
σ = E·ε

วิธีการ

  1. ถือว่าบริดจ์คือตัวแบ่งแรงดันสองตัวที่ใช้แหล่งจ่ายเดียวกัน
  2. สำหรับสมดุล ตั้ง R₁/R₂ = R₃/R₄ แล้วแก้หาตัวต้านทานที่ไม่ทราบค่า
  3. สำหรับบริดจ์ที่ไม่สมดุล หา Va และ Vb จากตัวแบ่งแรงดันแล้วลบกัน ใช้วงจรเทียบเท่าเทวินินเมื่อมิเตอร์เป็นโหลดของเอาต์พุต
  4. สำหรับสเตรนเกจ แปลงความเครียดเป็น ΔR/R = GF·ε และใช้ Vs·GF·ε/4, /2 หรือ ×1 สำหรับควอเตอร์ ฮาล์ฟ หรือฟูลบริดจ์

ตรรกะดิจิทัล: เกต แผนที่คาร์โนห์ และฟลิปฟล็อป

เกตพื้นฐาน
A·B, A + B, A′, (A·B)′, (A + B)′, A ⊕ B
กฎของพีชคณิตแบบบูล
X + X′ = 1, X·X′ = 0, X + XY = X, XY + XY′ = X
กฎของเดอมอร์แกน
(X·Y)′ = X′ + Y′, (X + Y)′ = X′·Y′
ลำดับของแผนที่คาร์โนห์
00, 01, 11, 10 (Gray code)
กลุ่มของ 2ᵏ เซลล์
สูญเสีย k ตัวแปร
มัลติเพล็กเซอร์ 4 ต่อ 1
F = A′B′I0 + A′BI1 + AB′I2 + ABI3
ฟลิปฟล็อป
D: Q⁺ = D, T: Q⁺ = T ⊕ Q, JK: Q⁺ = JQ′ + K′Q
ตัวนับ
n บิต: 2ⁿ สถานะ; มอด N: n ที่น้อยที่สุดที่ 2ⁿ ≥ N; fout = fclk/N
ตัวนับริปเปิล
fmax = 1/(n·tpd)
ตัวนับริงและตัวนับจอห์นสัน
n และ 2n สถานะ

วิธีการ

  1. สำหรับวงจร ให้ทำจากอินพุตไปถึงเอาต์พุตทีละเกตและเขียนค่าบนทุกเส้น หรือเขียนนิพจน์ของมันแล้วเติมตารางค่าความจริง
  2. สำหรับการทำให้ง่าย ให้ใส่ 1 (และค่าไม่สนใจเป็น X) ลงในแผนที่คาร์โนห์ที่มีแถวและคอลัมน์เรียงตามรหัสเกรย์: 00, 01, 11, 10
  3. ครอบคลุม 1 ด้วยกลุ่ม 1, 2, 4, 8 หรือ 16 เซลล์ให้น้อยที่สุดและใหญ่ที่สุดเท่าที่เป็นไปได้ โดยพันข้ามขอบ แต่ละกลุ่มคือหนึ่งพจน์ผลคูณที่ประกอบด้วยตัวแปรที่คงที่ จัดกลุ่ม 0 สำหรับรูป POS
  4. สำหรับฟลิปฟล็อปและตัวนับ ให้อ่านอินพุตที่ขอบแอ็กทีฟของสัญญาณนาฬิกาแต่ละขอบ เขียนสถานะหลังทุกขอบ และจำไว้ว่าตัวนับ n บิตวนกลับหลัง 2ⁿ สถานะ

2โจทย์ฝึก

1.ไดโอดและทรานซิสเตอร์ปานกลาง
RC​ = 4.7 kΩβ = 100RE​ = 1.5 kΩVCC​ = 12 VR1​ = 47 kΩR2​ = 12 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 100 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก VCC = 12 V: R₁ = 47 kΩ จาก VCC ไปยังเบส และ R₂ = 12 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 4.7 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ RE = 1.5 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE

VCC = 12 VR1 = 47 kΩR2 = 12 kΩRC = 4.7 kΩRE = 1.5 kΩβ = 100
VCE = V
2.ไดโอดและทรานซิสเตอร์ยาก
RC​ = 220 Ωβ = 100VCC​ = 9 V3.3 VRB​ = ?

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 100 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 220 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 9 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 3.3 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V หาตัวต้านทานเบสที่ใหญ่ที่สุด RB ใน kΩ ที่ยังขับทรานซิสเตอร์ให้อิ่มตัวพอดี

VCC = 9 VRC = 220 Ωβ = 100Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 V
RB = kΩ
3.วงจรออปแอมป์ปานกลาง
−+Vout​Rf​ = 47 kΩR1​ = 47 kΩVin​ = −0.3 V

ออปแอมป์เป็นแบบอุดมคติและใช้แหล่งจ่าย ±15 V หาแรงดันเอาต์พุต Vout

Vin = −0.3 VR1 = 47 kΩRf = 47 kΩ
Vout = V
4.วงจรออปแอมป์ยาก
Vin​V1​Vout​ภาคที่ 1: กลับเฟสR1​ = 1 kΩRf1​ = 47 kΩภาคที่ 2: ไม่กลับเฟสR2​ = 100 kΩRf2​ = 10 kΩ

ภาคออปแอมป์อุดมคติสองภาคต่อแบบคาสเคด: เครื่องขยายแบบกลับเฟส (R1, Rf1) ตามด้วยเครื่องขยายแบบไม่กลับเฟส (R2 ลงกราวด์ Rf2 ในวงป้อนกลับ) ทั้งสองใช้แหล่งจ่าย ±15 V อินพุตคือ Vin = 0.05 V จงหาแรงดันเอาต์พุต Vout

R1 = 1 kΩRf1 = 47 kΩR2 = 100 kΩRf2 = 10 kΩVin = 0.05 V
Vout = V
5.ทรานเซียนต์ RC และ RLปานกลาง
+−Vs​12 Vt = 0R = 22 ΩL220 mHi(t)

ตัวเหนี่ยวนำไม่มีกระแสก่อนที่สวิตช์จะปิดที่ t = 0 หลังจากสวิตช์ปิดนานเท่าใดกระแสจึงถึง 75% ของค่าสุดท้าย หา t

Vs = 12 VR = 22 ΩL = 220 mH
t = ms
6.ทรานเซียนต์ RC และ RLยาก
+−Vs​20 Vเปิดที่ t = 0R1​ = 6.8 kΩR2​ = 2.2 kΩC68 µF+−vC​

สวิตช์ปิดมานานแล้ว วงจรจึงอยู่ในสถานะคงตัว ที่ t = 0 สวิตช์เปิด หาแรงดัน vC คร่อมตัวเก็บประจุที่ t = 50 ms

Vs = 20 VR1 = 6.8 kΩR2 = 2.2 kΩC = 68 µFt = 50 ms
vC = V
7.ตัวต้านทานอนุกรมและขนานปานกลาง
R1​ = 2 ΩIR1​R3​ = 3 Ω+−V1​6 VR2​20 ΩAR4​8 ΩB

หากระแส IR1 ที่แหล่งจ่ายจ่ายออกมา ซึ่งไหลผ่าน R1

V1 = 6 VR1 = 2 ΩR2 = 20 ΩR3 = 3 ΩR4 = 8 Ω
IR1 = A
8.ตัวต้านทานอนุกรมและขนานยาก
R1​ = 6 ΩIR1​R3​ = 2 ΩR5​ = 25 Ω+−V1​24 VR2​4 ΩAR4​25 ΩBR6​2 Ω

หากระแส IR1 ที่แหล่งจ่ายจ่ายออกมา ซึ่งไหลผ่าน R1

V1 = 24 VR1 = 6 ΩR2 = 4 ΩR3 = 2 ΩR4 = 25 ΩR5 = 25 ΩR6 = 2 Ω
IR1 = A
9.ตัวแปลง DC-DCปานกลาง
tiL​Imax​Imin​ΔI = ?DTT2T

ตัวแปลง บัค ในอุดมคติแปลง 9 V เป็น 4.5 V ที่ 50 kHz โดย L = 100 µH จงหากระแสริปเปิลยอดถึงยอดของตัวเหนี่ยวนำ ΔIL

Vin​ = 9 VVo​ = 4.5 Vf = 50 kHzL = 100 µH
ΔIL = A
10.ตัวแปลง DC-DCยาก
tvo​Vo​ΔV = ?DTT2T

ตัวแปลงบัคแปลง 48 V เป็น 36 V สำหรับโหลด 20 Ω ที่ 200 kHz โดย L = 220 µH และ C = 10 µF จงหาริปเปิลแรงดันเอาต์พุตยอดถึงยอด ΔVo ในหน่วย mV

Vin​ = 48 VVo​ = 36 Vf = 200 kHzL = 220 µHC = 10 µF
ΔVo = mV
11.บริดจ์วีตสโตนและสเตรนเกจปานกลาง
+−15 VR1​ = 100 ΩR2​ = 800 ΩR3​ = 1000 ΩR4​ = 50 Ωab+−Rth​ = ?

จงหาความต้านทานเทวินิน Rth ของบริดจ์ที่แสดง เมื่อมองจากขั้วเอาต์พุต a และ b

Vs = 15 VR1 = 100 ΩR2 = 800 ΩR3 = 1000 ΩR4 = 50 Ω
Rth = Ω
12.บริดจ์วีตสโตนและสเตรนเกจยาก
+−2.5 V350 Ω − ΔR350 Ω + ΔR350 Ω350 Ωab+−Vo​ = ?

บริดจ์ที่มีแขนข้างละ 350 Ω ถูกกระตุ้นด้วย 2.5 V และมี เกจที่ทำงานสองตัวในแขนที่อยู่ติดกัน ตัวหนึ่งรับแรงดึงและอีกตัวรับแรงอัด (ฮาล์ฟบริดจ์) ตัวประกอบเกจคือ 2.1 และความเครียดคือ 600 µε จงหาเอาต์พุตของบริดจ์ Vo ในหน่วย mV

Vs = 2.5 VGF = 2.1ε = 600 µε
Vo = mV
13.ตรรกะดิจิทัล: เกต แผนที่คาร์โนห์ และฟลิปฟล็อปปานกลาง
MUX0I0​CI1​0I2​0I3​ABS1​S0​F

มัลติเพล็กเซอร์ 4 ต่อ 1 มีอินพุตเลือก S₁ = A และ S₀ = B และอินพุตข้อมูลต่อเข้ากับ I₀ = 0, I₁ = C, I₂ = 0, I₃ = 0 จาก 8 ชุดของ A, B และ C มีกี่ชุดที่เอาต์พุต F = 1 จงหา N

I₀ = 0I₁ = CI₂ = 0I₃ = 0
N =
14.ตรรกะดิจิทัล: เกต แผนที่คาร์โนห์ และฟลิปฟล็อปยาก
ABCD0001111000011110100103X204051716112013115014X819011110

จงหารูป SOP ที่น้อยที่สุดของ F(A, B, C, D) = Σm(0, 6, 7, 9, 10, 12, 15) + d(2, 8) โดย d แทนเงื่อนไขไม่สนใจ มีกี่ลิเทอรัล L

F(A, B, C, D) = Σm(0, 6, 7, 9, 10, 12, 15) + d(2, 8)
L =

3สารละลาย

1.ไดโอดและทรานซิสเตอร์

คำตอบ: VCE = 5.283 V

จุดไบแอสของ BJT: ในบริเวณแอกทีฟ VBE = 0.7 V, IC = β·IB และ IE = (β + 1)·IB หา IB จากลูปเบสด้วย KVL แล้วหา IC จากนั้นหา VCE จากลูปคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ ตัวแบ่งแรงดันที่เบสถูกแทนด้วยวงจรสมมูลเทวินิน VTH = VCC·R₂/(R₁ + R₂), RTH = R₁∥R₂ ตัวต้านทานอีมิตเตอร์ปรากฏใหญ่ขึ้น (β + 1) เท่าในลูปเบส

วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง

VTH = 12·12/(47 + 12) = 2.441 V
RTH = 47·12/(47 + 12) = 9.559 kΩ

กระแสเบส

KVL รอบลูปเบส กระแสอีมิตเตอร์คือ (β + 1)·IB

IB = (2.441 − 0.7)/(9.559 + 101·1.5) = 10.81 µA

กระแสคอลเลกเตอร์

IC = 100·10.81 µA = 1.081 mA
IE = 101·10.81 µA = 1.092 mA

แรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์

VCE = 12 − 1.081·4.7 − 1.092·1.5 = 5.283 V

คำตอบ

VCE = 5.283 V
2.ไดโอดและทรานซิสเตอร์

คำตอบ: RB = 6.5 kΩ

BJT เป็นสวิตช์: เพื่อเปิดโหลดเต็มที่ ทรานซิสเตอร์ถูกขับให้อิ่มตัว ซึ่ง VCE = VCE(sat) และกระแสคอลเลกเตอร์ถูกกำหนดโดยโหลด: IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC การอิ่มตัวต้องมี IB อย่างน้อย IC(sat)/β หากกระแสเบสน้อยกว่านั้น ทรานซิสเตอร์จะอยู่ในบริเวณแอกทีฟและ IC = β·IB

กระแสคอลเลกเตอร์ในภาวะอิ่มตัว

IC(sat) = (9 − 0.2)/220 = 40 mA

กระแสเบสต่ำสุด

IB(min) = IC(sat)/β = 40/100 = 400 µA

ตัวต้านทานเบส

RB = (3.3 − 0.7)/IB = 2.6 V/0.4 mA = 6.5 kΩ

คำตอบ

RB = 6.5 kΩ

ตัวต้านทานเบสที่เล็กกว่านี้ก็ทำให้ทรานซิสเตอร์อิ่มตัวได้เช่นกัน ในทางปฏิบัติเลือกค่าที่เล็กกว่านี้ไม่กี่เท่า

3.วงจรออปแอมป์

คำตอบ: Vout = −0.6 V

กฎของออปแอมป์อุดมคติ: เมื่อมีป้อนกลับลบ ออปแอมป์จะขับเอาต์พุตให้อินพุตทั้งสองมีแรงดันเท่ากัน (V₋ = V₊) และไม่มีกระแสไหลเข้าอินพุตใดเลย เขียน KCL ที่อินพุตกลับเฟสโดยใช้สองข้อนี้ก็จะได้เอาต์พุต

อินพุตกลับเฟสตามอินพุต

V₋ = V₊ = −0.3 V
I = V₋/R1 = −0.3/47 = −0.006383 mA

แรงดันเอาต์พุต

กระแสผ่าน R₁ ไหลผ่าน Rf ด้วย

Vout = V₋ + I·Rf = −0.3 + (−0.006383)·47 = −0.6 V

คำตอบ

Vout = −0.6 V
4.วงจรออปแอมป์

คำตอบ: Vout = −2.585 V

กฎของออปแอมป์อุดมคติ: เมื่อมีป้อนกลับลบ ออปแอมป์จะขับเอาต์พุตให้อินพุตทั้งสองมีแรงดันเท่ากัน (V₋ = V₊) และไม่มีกระแสไหลเข้าอินพุตใดเลย เขียน KCL ที่อินพุตกลับเฟสโดยใช้สองข้อนี้ก็จะได้เอาต์พุต

อัตราขยายของแต่ละภาค

A1 = −Rf1/R1 = −47/1 = −47
A2 = 1 + Rf2/R2 = 1 + 10/100 = 1.1

ทีละภาค

V1 = −47·0.05 = −2.35 V
Vout = 1.1·(−2.35) = −2.585 V

คำตอบ

Vout = −2.585 V
5.ทรานเซียนต์ RC และ RL

คำตอบ: t = 13.86 ms

ทรานเซียนต์อันดับหนึ่ง: ในวงจรที่มีตัวเก็บประจุหนึ่งตัวหรือตัวเหนี่ยวนำหนึ่งตัว แรงดันและกระแสทุกค่าเปลี่ยนแบบเอกซ์โพเนนเชียลจากค่าเริ่มต้นไปยังค่าสุดท้าย: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ โดย τ = RC หรือ τ = L/R หลังจากประมาณ 5τ วงจรจะนิ่งแล้ว

ค่าคงตัวเวลาและกระแสสุดท้าย

เมื่อสวิตช์ปิดไปนานแล้ว ตัวเหนี่ยวนำทำตัวเหมือนลัดวงจร กระแสสุดท้ายจึงขึ้นกับ R เพียงตัวเดียว

τ = L/R = 220 mH / 22 Ω = 10 ms
i(∞) = Vs/R = 12/22 = 0.5455 A

แก้สมการหาเวลา

0.75 = 1 − e−t/τ → t = −τ·ln(1 − 0.75)
t = −10·ln(0.25) = 13.86 ms

คำตอบ

t = 13.86 ms
6.ทรานเซียนต์ RC และ RL

คำตอบ: vC = 3.5 V

ทรานเซียนต์อันดับหนึ่ง: ในวงจรที่มีตัวเก็บประจุหนึ่งตัวหรือตัวเหนี่ยวนำหนึ่งตัว แรงดันและกระแสทุกค่าเปลี่ยนแบบเอกซ์โพเนนเชียลจากค่าเริ่มต้นไปยังค่าสุดท้าย: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ โดย τ = RC หรือ τ = L/R หลังจากประมาณ 5τ วงจรจะนิ่งแล้ว

แรงดันเริ่มต้นของตัวเก็บประจุ

ในสถานะคงตัวตัวเก็บประจุเป็นวงจรเปิด ดังนั้น R₁ และ R₂ เป็นวงจรแบ่งแรงดัน แรงดันตัวเก็บประจุกระโดดไม่ได้เมื่อสวิตช์เปิด

vC(0) = 20·2.2/(6.8 + 2.2) = 4.889 V

ค่าคงที่เวลาหลังสวิตช์เปิด

τ = R2·C = 2.2·68 = 149.6 ms

การคายประจุ

vC(t) = 4.889·e−50/149.6 = 3.5 V

คำตอบ

vC = 3.5 V
7.ตัวต้านทานอนุกรมและขนาน

คำตอบ: IR1 = 0.6596 A

ตัวต้านทานอนุกรมและขนาน: ในการต่ออนุกรม กระแสเดียวกันไหลผ่านตัวต้านทานแต่ละตัว และ R = R₁ + R₂ + … ในการต่อขนาน ตัวต้านทานแต่ละตัวมีแรงดันเท่ากัน และ 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + … วงจรแบบบันไดลดรูปทีละคู่จนเหลือความต้านทานสมมูลเพียงค่าเดียว

R1​ = 2 ΩR3​ = 3 Ω+−V1​6 VR2​20 ΩAR4​8 ΩB

รวมตัวต้านทานจากปลายสุด

เริ่มจากปลายที่ไกลจากแหล่งจ่ายที่สุดแล้วไล่กลับมาหาแหล่งจ่าย ตัวต้านทานที่มีกระแสเท่ากันต่ออนุกรมกัน ตัวต้านทานที่คร่อมโหนดคู่เดียวกันต่อขนานกัน

R3 + R4 = 3 + 8 = 11 Ω
R2 ∥ 11 = 20·11/(20+11) = 7.097 Ω
Req = R1 + 7.097 = 2 + 7.097 = 9.097 Ω

กระแสจากแหล่งจ่าย

แหล่งจ่ายเห็นเพียง Req ดังนั้นกฎของโอห์มจึงให้กระแสที่มันจ่ายออกมา กระแสนั้นไหลผ่าน R₁

IR1 = V1/Req = 6/9.097 = 0.6596 A

คำตอบ

IR1 = 0.6596 A
8.ตัวต้านทานอนุกรมและขนาน

คำตอบ: IR1 = 2.621 A

ตัวต้านทานอนุกรมและขนาน: ในการต่ออนุกรม กระแสเดียวกันไหลผ่านตัวต้านทานแต่ละตัว และ R = R₁ + R₂ + … ในการต่อขนาน ตัวต้านทานแต่ละตัวมีแรงดันเท่ากัน และ 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + … วงจรแบบบันไดลดรูปทีละคู่จนเหลือความต้านทานสมมูลเพียงค่าเดียว

R1​ = 6 ΩR3​ = 2 ΩR5​ = 25 Ω+−V1​24 VR2​4 ΩAR4​25 ΩBR6​2 Ω

รวมตัวต้านทานจากปลายสุด

เริ่มจากปลายที่ไกลจากแหล่งจ่ายที่สุดแล้วไล่กลับมาหาแหล่งจ่าย ตัวต้านทานที่มีกระแสเท่ากันต่ออนุกรมกัน ตัวต้านทานที่คร่อมโหนดคู่เดียวกันต่อขนานกัน

R5 + R6 = 25 + 2 = 27 Ω
R4 ∥ 27 = 12.98 Ω
R3 + 12.98 = 14.98 Ω
R2 ∥ 14.98 = 3.157 Ω
Req = R1 + 3.157 = 6 + 3.157 = 9.157 Ω

กระแสจากแหล่งจ่าย

แหล่งจ่ายเห็นเพียง Req ดังนั้นกฎของโอห์มจึงให้กระแสที่มันจ่ายออกมา กระแสนั้นไหลผ่าน R₁

IR1 = V1/Req = 24/9.157 = 2.621 A

คำตอบ

IR1 = 2.621 A
9.ตัวแปลง DC-DC

คำตอบ: ΔIL = 0.45 A

ตัวแปลง DC-DC: สวิตช์ S เปิดในสัดส่วน D ของแต่ละคาบ T = 1/f ในสถานะคงตัว แรงดันเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำเป็นศูนย์ (สมดุลโวลต์-วินาที) ซึ่งให้อัตราส่วนการแปลงในอุดมคติในโหมดนำกระแสต่อเนื่อง: บัค Vo = D·Vin, บูสต์ Vo = Vin/(1 − D), บัค-บูสต์แบบกลับขั้ว |Vo| = Vin·D/(1 − D) ตัวแปลงในอุดมคติรักษากำลังไว้: Vin·Iin = Vo·Io ขณะ S เปิด กระแสตัวเหนี่ยวนำเพิ่มขึ้น ΔIL = VL·D·T/L โดย VL = Vin − Vo สำหรับบัค และ Vin สำหรับบูสต์และบัค-บูสต์ ริปเปิลเอาต์พุตคือ ΔVo = ΔIL/(8fC) สำหรับบัค และ Io·D/(fC) สำหรับบูสต์และบัค-บูสต์ กระแสตัวเหนี่ยวนำเพียงแตะศูนย์ (ขอบเขต CCM) เมื่อกระแสเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำเท่ากับ ΔIL/2

วัฏจักรหน้าที่

D = 4.5/9 = 0.5

แรงดันตัวเหนี่ยวนำระหว่างช่วงเปิด

ขณะ S เปิด ตัวเหนี่ยวนำอยู่ระหว่าง Vin กับ Vo

VL = 9 − 4.5 = 4.5 V

กระแสริปเปิล

ΔIL = VL·D/(L·f) = 4.5·0.5/(100·10⁻⁶·50·10³) = 0.45 A

คำตอบ

ΔIL = 0.45 A
10.ตัวแปลง DC-DC

คำตอบ: ΔVo = 12.78 mV

ตัวแปลง DC-DC: สวิตช์ S เปิดในสัดส่วน D ของแต่ละคาบ T = 1/f ในสถานะคงตัว แรงดันเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำเป็นศูนย์ (สมดุลโวลต์-วินาที) ซึ่งให้อัตราส่วนการแปลงในอุดมคติในโหมดนำกระแสต่อเนื่อง: บัค Vo = D·Vin, บูสต์ Vo = Vin/(1 − D), บัค-บูสต์แบบกลับขั้ว |Vo| = Vin·D/(1 − D) ตัวแปลงในอุดมคติรักษากำลังไว้: Vin·Iin = Vo·Io ขณะ S เปิด กระแสตัวเหนี่ยวนำเพิ่มขึ้น ΔIL = VL·D·T/L โดย VL = Vin − Vo สำหรับบัค และ Vin สำหรับบูสต์และบัค-บูสต์ ริปเปิลเอาต์พุตคือ ΔVo = ΔIL/(8fC) สำหรับบัค และ Io·D/(fC) สำหรับบูสต์และบัค-บูสต์ กระแสตัวเหนี่ยวนำเพียงแตะศูนย์ (ขอบเขต CCM) เมื่อกระแสเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำเท่ากับ ΔIL/2

วัฏจักรหน้าที่

D = 36/48 = 0.75

กระแสริปเปิลของตัวเหนี่ยวนำ

ΔIL = (48 − 36)·0.75/(220·10⁻⁶·200·10³) = 0.2045 A

ริปเปิลเอาต์พุต

ΔVo = 0.2045/(8·200·10³·10·10⁻⁶) = 12.78 mV

คำตอบ

ΔVo = 12.78 mV
11.บริดจ์วีตสโตนและสเตรนเกจ

คำตอบ: Rth = 136.5 Ω

บริดจ์วีตสโตน: ตัวแบ่งแรงดันสองตัวใช้แหล่งจ่าย Vs ร่วมกัน ตัวแบ่งซ้าย R1–R2 ให้ Va = Vs·R2/(R1 + R2) และตัวแบ่งขวา R3–R4 ให้ Vb = Vs·R4/(R3 + R4) เอาต์พุตคือ Vab = Va − Vb บริดจ์สมดุล (Vab = 0 ไม่มีกระแสในมิเตอร์) เมื่อ R1/R2 = R3/R4 นั่นคือ R1·R4 = R2·R3 เมื่อมองจากเอาต์พุต บริดจ์คือแหล่งเทวินินที่มี Rth = R1∥R2 + R3∥R4

ลัดวงจรแหล่งจ่าย

R₁∥R₂ = 100·800/900 = 88.89 Ω
R₃∥R₄ = 1000·50/1050 = 47.62 Ω

ความต้านทานเทวินิน

Rth = 136.5 Ω

คำตอบ

Rth = 136.5 Ω
12.บริดจ์วีตสโตนและสเตรนเกจ

คำตอบ: Vo = 1.575 mV

สเตรนเกจ: เกจเปลี่ยนความต้านทานตามความเครียด: ΔR/R = GF·ε โดยตัวประกอบเกจ GF ประมาณ 2 สำหรับแผ่นโลหะบาง ในบริดจ์ที่แขนทุกข้างเท่ากับ R เกจที่ทำงานหนึ่งตัว (ควอเตอร์บริดจ์) ให้ Vo ≈ Vs·GF·ε/4 เกจที่ทำงานสองตัวที่มีความเครียดตรงข้ามกันในแขนที่อยู่ติดกัน (ฮาล์ฟบริดจ์) ให้ Vs·GF·ε/2 และสี่ตัว (ฟูลบริดจ์) ให้ Vs·GF·ε ความเค้นได้จากกฎของฮุก σ = E·ε โหลดเซลล์ระบุความไวเป็น mV/V คือเอาต์พุตที่โหลดเต็มต่อแรงดันกระตุ้นหนึ่งโวลต์

การเปลี่ยนแปลงสัมพัทธ์ของความต้านทาน

ΔR/R = 2.1·600·10⁻⁶ = 0.00126

เอาต์พุตของบริดจ์

Vo = Vs·GF·ε/2 = 2.5·0.00126/2 = 1.575 mV

คำตอบ

Vo = 1.575 mV
13.ตรรกะดิจิทัล: เกต แผนที่คาร์โนห์ และฟลิปฟล็อป

คำตอบ: N = 1

มัลติเพล็กเซอร์: มัลติเพล็กเซอร์ 2ⁿ ต่อ 1 ส่งอินพุตข้อมูลหนึ่งตัวไปยังเอาต์พุต สายเลือก (select) เมื่ออ่านเป็นเลขฐานสองจะเลือกว่าตัวใด สำหรับ MUX 4 ต่อ 1 ที่สายเลือก S₁S₀ = AB จะได้ F = A′B′·I₀ + A′B·I₁ + AB′·I₂ + AB·I₃ การต่ออินพุตข้อมูลเข้ากับ 0, 1, C หรือ C′ ทำให้ MUX สร้างฟังก์ชันใดก็ได้ของ A, B และ C ซึ่งเป็นวิธีที่พบบ่อยในการสร้างตรรกะด้วยชิปตัวเดียว

นิพจน์เอาต์พุต

F = A′BC

แถวที่ F = 1

ABC = 011
N = 1

คำตอบ

N = 1
14.ตรรกะดิจิทัล: เกต แผนที่คาร์โนห์ และฟลิปฟล็อป

คำตอบ: L = 14

แผนที่คาร์โนห์: เซลล์เรียงตามรหัสเกรย์ (00, 01, 11, 10) ดังนั้นเซลล์ที่อยู่ติดกัน รวมถึงเซลล์ที่อยู่ตรงข้ามขอบ ต่างกันเพียงตัวแปรเดียว จัดกลุ่ม 1 เป็นสี่เหลี่ยมที่มี 1, 2, 4, 8 หรือ 16 เซลล์ ให้ใหญ่ที่สุดและมีจำนวนกลุ่มน้อยที่สุดจนครอบคลุมทุก 1 แต่ละกลุ่มคือหนึ่งพจน์ผลคูณ: ตัวแปรที่คงที่ภายในกลุ่ม กลุ่มที่มี 2ᵏ เซลล์สูญเสียตัวแปรไป k ตัว ค่าไม่สนใจ (X) ใช้เพื่อทำให้กลุ่มใหญ่ขึ้นได้ แต่ไม่จำเป็นต้องถูกครอบคลุม การจัดกลุ่ม 0 แทนจะได้รูป POS ที่น้อยที่สุด

ไพรม์อิมพลิแคนต์

กลุ่มที่ใหญ่ที่สุดที่สร้างได้จาก 1 และ X

B′D′, BCD, A′CD′, AC′D′, A′BC, AB′C′
ABCD0001111000011110100103X204051716112013115014X819011110

การครอบคลุมที่น้อยที่สุด

F = B′D′ + BCD + A′CD′ + AC′D′ + AB′C′
L = 14

คำตอบ

L = 14

มีการจัดกลุ่มอีกแบบที่มีขนาดเท่ากัน ซึ่งมีจำนวนพจน์และลิเทอรัลเท่ากัน

ExamProblems · examproblems.com/courses/electronics-1