1.ง่าย
ซีเนอร์ไดโอด 3.3 V ได้รับแรงดันจาก 9 V ผ่านตัวต้านทาน 470 Ω โดยไม่ต่อโหลด จงหากระแส IR ในตัวต้านทาน
Vin = 9 VVZ = 3.3 VR = 470 Ω
IR = mA
ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย
2.ง่าย
ซีเนอร์ไดโอด 3.3 V ได้รับแรงดันจาก 12 V ผ่านตัวต้านทาน 100 Ω โดยไม่ต่อโหลด จงหากระแส IR ในตัวต้านทาน
Vin = 12 VVZ = 3.3 VR = 100 Ω
IR = mA
3.ปานกลาง
ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 100 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก VCC = 20 V: R₁ = 100 kΩ จาก VCC ไปยังเบส และ R₂ = 8.2 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 5.6 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ RE = 1.2 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE
VCC = 20 VR1 = 100 kΩR2 = 8.2 kΩRC = 5.6 kΩRE = 1.2 kΩβ = 100
VCE = V
4.ปานกลาง
ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 150 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก VCC = 20 V: R₁ = 56 kΩ จาก VCC ไปยังเบส และ R₂ = 12 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 1 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ RE = 1.5 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE
VCC = 20 VR1 = 56 kΩR2 = 12 kΩRC = 1 kΩRE = 1.5 kΩβ = 150
VCE = V
5.ยาก
ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 50 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 680 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 12 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 5 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB = 33 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V หากระแสคอลเลกเตอร์ IC ใน mA เมื่ออินพุตสูง ตัดสินใจก่อนว่าทรานซิสเตอร์อิ่มตัวหรือไม่
VCC = 12 VRC = 680 Ωβ = 50Vin = 5 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 VRB = 33 kΩ
IC = mA
6.ยาก
ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 100 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 220 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 9 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 3.3 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB = 3.3 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V หากระแสคอลเลกเตอร์ IC ใน mA เมื่ออินพุตสูง ตัดสินใจก่อนว่าทรานซิสเตอร์อิ่มตัวหรือไม่
VCC = 9 VRC = 220 Ωβ = 100Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 VRB = 3.3 kΩ
IC = mA
เฉลย
- 1. IR = 12.13 mA
- 2. IR = 87 mA
- 3. VCE = 15.69 V
- 4. VCE = 15.49 V
- 5. IC = 6.515 mA
- 6. IC = 40 mA
เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com