ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย

ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ ฟรีสำหรับพิมพ์: 6 ข้อ ตั้งแต่ระดับง่ายถึงระดับข้อสอบจริง พร้อมเฉลย พิมพ์หรือบันทึกเป็น PDF ได้

ใบงานใหม่ฝึกออนไลน์พร้อมคำใบ้

สำหรับผู้สอน: พิมพ์ ทำสำเนา และใช้ในชั้นเรียนได้ฟรี ใบงานใหม่แต่ละชุดมีค่าตัวเลขใหม่และเฉลยของตัวเอง หากใส่ลิงก์ไปยัง ExamProblems ในหน้ารายวิชาของคุณ เราจะขอบคุณมาก

ชื่อ: ____________________   วันที่: ____________

1.ง่าย
+−Vs​10 VR1​ = 1 kΩR2​ = 10 kΩID​ = ?

แหล่งจ่ายไฟตรง 10 V ต่อผ่านตัวต้านทาน R₁ = 1 kΩ ไปยังโหนด X จากโหนด X ไปยังขั้วลบของแหล่งจ่ายมีสองเส้นทางขนานกัน คือตัวต้านทาน R₂ = 10 kΩ และไดโอดซิลิคอนที่มีแอโนดอยู่ที่ X ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V หากระแสไดโอด ID ใน mA

Vs = 10 VR1 = 1 kΩR2 = 10 kΩVD = 0.7 V
ID = mA
2.ง่าย
+−24 VR = ?2 V15 mA

LED แดง ที่มีแรงดันไปข้างหน้า 2 V ทำงานจากแหล่งจ่าย 24 V ผ่านตัวต้านทานอนุกรม จงหาความต้านทาน R ที่ตั้งกระแส LED เป็น 15 mA

Vs = 24 VVF = 2 VI = 15 mA
R = Ω
3.ปานกลาง
RC​ = 1.5 kΩβ = 80RE​ = 2.2 kΩVCC​ = 18 VR1​ = 56 kΩR2​ = 15 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 80 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก VCC = 18 V: R₁ = 56 kΩ จาก VCC ไปยังเบส และ R₂ = 15 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 1.5 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ RE = 2.2 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE

VCC = 18 VR1 = 56 kΩR2 = 15 kΩRC = 1.5 kΩRE = 2.2 kΩβ = 80
VCE = V
4.ปานกลาง
RC​ = 3.3 kΩβ = 200IC​ = ?RE​ = 1.2 kΩVCC​ = 12 VR1​ = 22 kΩR2​ = 8.2 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 200 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก VCC = 12 V: R₁ = 22 kΩ จาก VCC ไปยังเบส และ R₂ = 8.2 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 3.3 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ RE = 1.2 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หากระแสคอลเลกเตอร์ IC ใน mA

VCC = 12 VR1 = 22 kΩR2 = 8.2 kΩRC = 3.3 kΩRE = 1.2 kΩβ = 200
IC = mA
5.ยาก
RC​ = 220 Ωβ = 100VCC​ = 24 V5 VRB​ = ?

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 100 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 220 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 24 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 5 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V หาตัวต้านทานเบสที่ใหญ่ที่สุด RB ใน kΩ ที่ยังขับทรานซิสเตอร์ให้อิ่มตัวพอดี

VCC = 24 VRC = 220 Ωβ = 100Vin = 5 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 V
RB = kΩ
6.ยาก
RC​ = 220 Ωβ = 50VCC​ = 12 V5 VRB​ = ?

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 50 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 220 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 12 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 5 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V เพื่อให้สวิตช์ทำงานได้เชื่อถือได้ ให้ออกแบบกระแสเบสเป็น 2 เท่าของค่าต่ำสุดที่ต้องใช้เพื่อให้อิ่มตัว หา RB ใน kΩ

VCC = 12 VRC = 220 Ωβ = 50Vin = 5 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 Vการขับเกิน = 2
RB = kΩ

เฉลย

  1. 1. ID = 9.23 mA
  2. 2. R = 1467 Ω
  3. 3. VCE = 13.13 V
  4. 4. IC = 2.07 mA
  5. 5. RB = 3.975 kΩ
  6. 6. RB = 2.004 kΩ

เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com