ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย

ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ ฟรีสำหรับพิมพ์: 6 ข้อ ตั้งแต่ระดับง่ายถึงระดับข้อสอบจริง พร้อมเฉลย พิมพ์หรือบันทึกเป็น PDF ได้

ใบงานใหม่ฝึกออนไลน์พร้อมคำใบ้

สำหรับผู้สอน: พิมพ์ ทำสำเนา และใช้ในชั้นเรียนได้ฟรี ใบงานใหม่แต่ละชุดมีค่าตัวเลขใหม่และเฉลยของตัวเอง หากใส่ลิงก์ไปยัง ExamProblems ในหน้ารายวิชาของคุณ เราจะขอบคุณมาก

ชื่อ: ____________________   วันที่: ____________

1.ง่าย
+−Vs​12 VR = 1.5 kΩD1​D2​I = ?

แหล่งจ่ายไฟตรง 12 V ขับกระแสผ่านตัวต้านทาน 1.5 kΩ ที่ต่ออนุกรมกับไดโอดซิลิคอนสองตัวที่ไบแอสตรง ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V ต่อไดโอดที่นำกระแส หากระแส I ใน mA

Vs = 12 VR = 1.5 kΩVD = 0.7 V
I = mA
2.ง่าย
+−24 V150 Ω3.3 VIR​ = ?

ซีเนอร์ไดโอด 3.3 V ได้รับแรงดันจาก 24 V ผ่านตัวต้านทาน 150 Ω โดยไม่ต่อโหลด จงหากระแส IR ในตัวต้านทาน

Vin = 24 VVZ = 3.3 VR = 150 Ω
IR = mA
3.ปานกลาง
+−12 V680 Ω5.1 V680 ΩIZ​ = ?

ตัวควบคุมซีเนอร์ 5.1 V ได้รับแรงดันจาก 12 V ผ่าน 680 Ω และจ่ายให้โหลด 680 Ω จงหากระแสซีเนอร์ IZ

Vin = 12 VVZ = 5.1 VR = 680 ΩRL = 680 Ω
IZ = mA
4.ปานกลาง
RC​ = 3.3 kΩβ = 80RE​ = 1.5 kΩVCC​ = 15 VR1​ = 39 kΩR2​ = 8.2 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 80 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก VCC = 15 V: R₁ = 39 kΩ จาก VCC ไปยังเบส และ R₂ = 8.2 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 3.3 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ RE = 1.5 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE

VCC = 15 VR1 = 39 kΩR2 = 8.2 kΩRC = 3.3 kΩRE = 1.5 kΩβ = 80
VCE = V
5.ยาก
RC​ = 150 Ωβ = 80IC​ = ?VCC​ = 5 V3.3 VRB​ = 33 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 80 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 150 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 5 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 3.3 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB = 33 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V หากระแสคอลเลกเตอร์ IC ใน mA เมื่ออินพุตสูง ตัดสินใจก่อนว่าทรานซิสเตอร์อิ่มตัวหรือไม่

VCC = 5 VRC = 150 Ωβ = 80Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 VRB = 33 kΩ
IC = mA
6.ยาก
RC​ = 680 Ωβ = 200VCC​ = 24 V3.3 VRB​ = ?

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 200 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 680 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 24 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 3.3 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V เพื่อให้สวิตช์ทำงานได้เชื่อถือได้ ให้ออกแบบกระแสเบสเป็น 2 เท่าของค่าต่ำสุดที่ต้องใช้เพื่อให้อิ่มตัว หา RB ใน kΩ

VCC = 24 VRC = 680 Ωβ = 200Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 Vการขับเกิน = 2
RB = kΩ

เฉลย

  1. 1. I = 7.067 mA
  2. 2. IR = 138 mA
  3. 3. IZ = 2.647 mA
  4. 4. VCE = 9.272 V
  5. 5. IC = 6.303 mA
  6. 6. RB = 7.429 kΩ

เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com