ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย

ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ ฟรีสำหรับพิมพ์: 6 ข้อ ตั้งแต่ระดับง่ายถึงระดับข้อสอบจริง พร้อมเฉลย พิมพ์หรือบันทึกเป็น PDF ได้

ใบงานใหม่ฝึกออนไลน์พร้อมคำใบ้

สำหรับผู้สอน: พิมพ์ ทำสำเนา และใช้ในชั้นเรียนได้ฟรี ใบงานใหม่แต่ละชุดมีค่าตัวเลขใหม่และเฉลยของตัวเอง หากใส่ลิงก์ไปยัง ExamProblems ในหน้ารายวิชาของคุณ เราจะขอบคุณมาก

ชื่อ: ____________________   วันที่: ____________

1.ง่าย
+−Vs​9 VR = 220 ΩD1​D2​I = ?

แหล่งจ่ายไฟตรง 9 V ขับกระแสผ่านตัวต้านทาน 220 Ω ที่ต่ออนุกรมกับไดโอดซิลิคอนสองตัวที่ไบแอสตรง ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V ต่อไดโอดที่นำกระแส หากระแส I ใน mA

Vs = 9 VR = 220 ΩVD = 0.7 V
I = mA
2.ง่าย
+−Vs​9 VR1​ = 330 ΩR2​ = 10 kΩID​ = ?

แหล่งจ่ายไฟตรง 9 V ต่อผ่านตัวต้านทาน R₁ = 330 Ω ไปยังโหนด X จากโหนด X ไปยังขั้วลบของแหล่งจ่ายมีสองเส้นทางขนานกัน คือตัวต้านทาน R₂ = 10 kΩ และไดโอดซิลิคอนที่มีแอโนดอยู่ที่ X ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V หากระแสไดโอด ID ใน mA

Vs = 9 VR1 = 330 ΩR2 = 10 kΩVD = 0.7 V
ID = mA
3.ปานกลาง
RC​ = 3.3 kΩβ = 100IC​ = ?VCC​ = 15 VRB​ = 390 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 100 ถูกไบแอสด้วยตัวต้านทานเบส RB = 390 kΩ จากแหล่งจ่าย VCC = 15 V ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 3.3 kΩ และอีมิตเตอร์ต่อกราวด์ ให้ VBE = 0.7 V และสมมติว่าทรานซิสเตอร์อยู่ในบริเวณแอกทีฟ หากระแสคอลเลกเตอร์ IC ใน mA

VCC = 15 VRB = 390 kΩRC = 3.3 kΩβ = 100VBE = 0.7 V
IC = mA
4.ปานกลาง
RC​ = 4.7 kΩβ = 200VCC​ = 10 VRB​ = 1000 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 200 ถูกไบแอสด้วยตัวต้านทานเบส RB = 1000 kΩ จากแหล่งจ่าย VCC = 10 V ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 4.7 kΩ และอีมิตเตอร์ต่อกราวด์ ให้ VBE = 0.7 V และสมมติว่าทรานซิสเตอร์อยู่ในบริเวณแอกทีฟ หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE

VCC = 10 VRB = 1000 kΩRC = 4.7 kΩβ = 200VBE = 0.7 V
VCE = V
5.ยาก
RC​ = 220 Ωβ = 150IC​ = ?VCC​ = 9 V3.3 VRB​ = 4.7 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 150 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 220 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 9 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 3.3 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB = 4.7 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V หากระแสคอลเลกเตอร์ IC ใน mA เมื่ออินพุตสูง ตัดสินใจก่อนว่าทรานซิสเตอร์อิ่มตัวหรือไม่

VCC = 9 VRC = 220 Ωβ = 150Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 VRB = 4.7 kΩ
IC = mA
6.ยาก
RC​ = 680 Ωβ = 80VCC​ = 5 V3.3 VRB​ = ?

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 80 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 680 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 5 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 3.3 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V หาตัวต้านทานเบสที่ใหญ่ที่สุด RB ใน kΩ ที่ยังขับทรานซิสเตอร์ให้อิ่มตัวพอดี

VCC = 5 VRC = 680 Ωβ = 80Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 V
RB = kΩ

เฉลย

  1. 1. I = 34.55 mA
  2. 2. ID = 25.08 mA
  3. 3. IC = 3.667 mA
  4. 4. VCE = 1.258 V
  5. 5. IC = 40 mA
  6. 6. RB = 29.47 kΩ

เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com