ใช้หลักการซ้อนทับหาส่วนที่ V1 เพียงตัวเดียวมีต่อ แรงดัน VR3 ที่ตกคร่อม R3 ตามขั้วที่แสดง VR3′
ใบงาน การซ้อนทับ พร้อมเฉลย
ใช้การซ้อนทับ (superposition) เพื่อหา กระแส IR1 ผ่าน R1 ในทิศทางตามลูกศร
วงจรตัวต้านทานเชิงเส้นมีแหล่งกำเนิดแรงดันหนึ่งตัว Vs และแหล่งกำเนิดกระแสหนึ่งตัว Is วัดกระแส I ผ่านตัวต้านทานโหลดสองครั้ง: เมื่อ Vs = 10 V และ Is = 5 mA ได้ I = 6.25 mA เมื่อ Vs = 15 V และ Is = 2 mA ได้ I = 5.25 mA จงหากระแสโหลด I เมื่อ Vs = 20 V และ Is = 4 mA
วงจรตัวต้านทานเชิงเส้นมีแหล่งกำเนิดแรงดันหนึ่งตัว Vs และแหล่งกำเนิดกระแสหนึ่งตัว Is วัดกระแส I ผ่านตัวต้านทานโหลดสองครั้ง: เมื่อ Vs = 5 V และ Is = 3 mA ได้ I = 3.4 mA เมื่อ Vs = 20 V และ Is = 4 mA ได้ I = 11.2 mA จงหากระแสโหลด I เมื่อ Vs = 4 V และ Is = 3 mA
ใช้การซ้อนทับ (superposition) เพื่อหา แรงดัน VR3 ที่ตกคร่อม R3 ตามขั้วที่แสดง
วงจรตัวต้านทานเชิงเส้นมีแหล่งกำเนิดอิสระสามตัว: V1, V2 และ Is วัดกระแส I ผ่านโหลดสามครั้ง เมื่อทุกแหล่งกำเนิดมีค่าปกติ I = 18.5 mA เมื่อ V1 เป็นสองเท่าและอีกสองตัวไม่เปลี่ยน I = 23.5 mA เมื่อกลับทิศของ Is และอีกสองตัวไม่เปลี่ยน I = 10.5 mA จงหากระแสโหลด I เมื่อปิด V2 และ V1 กับ Is มีค่าปกติ
เฉลย
- 1. VR3′ = 5.97 V
- 2. IR1 = 0.2 A
- 3. I = 8 mA
- 4. I = 2.9 mA
- 5. VR3 = 11.17 V
- 6. I = 9 mA
เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com