Cevaplı Diyotlar ve transistörler çalışma kâğıdı

9 V’luk bir DC kaynak, doğru kutuplanmış iki silisyum diyotla seri bağlı 1 kΩ değerindeki bir dirençten akım geçiriyor. İletimdeki diyot başına 0,7 V ile sabit gerilim düşümü modelini kullanın. Akım I değerini mA cinsinden bulun.

5 V’luk bir DC kaynak R₁ = 330 Ω direnci üzerinden bir X düğümüne bağlanmıştır. X düğümünden kaynağın negatif ucuna iki paralel yol vardır: R₂ = 2,2 kΩ direnci ve anodu X’te olan bir silisyum diyot. 0,7 V ile sabit gerilim düşümü modelini kullanın. Diyot akımı I_D değerini mA cinsinden bulun.

β = 100 olan bir NPN transistör, V_CC = 20 V’tan gerilim bölücüyle kutuplanmıştır: V_CC’den baza R₁ = 82 kΩ ve bazdan toprağa R₂ = 10 kΩ. Kolektör direnci R_C = 2,7 kΩ ve emetör direnci R_E = 1 kΩ. V_BE = 0,7 V alın ve bölücünün Thévenin eşdeğerini kullanın (baz akımını ihmal etmeyin). Kolektör akımı I_C değerini mA cinsinden bulun.

5,1 V’luk bir Zener regülatörü 680 Ω üzerinden 15 V’tan besleniyor ve 3300 Ω’luk bir yükü besliyor. Zener akımını I_Z bulun.

β = 200 olan bir NPN transistör, V_CC = 12 V ile kolektörü arasına bağlı 330 Ω değerindeki bir yük direncini anahtarlıyor. Emetör topraklıdır. Baz, 3,3 V’luk bir lojik çıkıştan R_B baz direnci üzerinden sürülüyor. V_BE = 0,7 V ve V_CE(sat) = 0,2 V alın. Güvenilir anahtarlama için baz akımını doyum için gereken en küçük değerin 10 katı olacak şekilde tasarlayın. R_B değerini kΩ cinsinden bulun.

β = 100 olan bir NPN transistör, V_CC = 12 V ile kolektörü arasına bağlı 680 Ω değerindeki bir yük direncini anahtarlıyor. Emetör topraklıdır. Baz, 5 V’luk bir lojik çıkıştan R_B baz direnci üzerinden sürülüyor. V_BE = 0,7 V ve V_CE(sat) = 0,2 V alın. Transistörü tam doyuma sürmeye hâlâ yeten en büyük baz direnci R_B değerini kΩ cinsinden bulun.