Джерело постійної напруги 6 V підключено через резистор R₁ = 2,2 kΩ до вузла X. Від вузла X до від’ємного затискача джерела є дві паралельні гілки: резистор R₂ = 10 kΩ і кремнієвий діод анодом до X. Використайте модель з постійним спадом 0,7 V. Знайдіть струм діода ID у mA.
Робочий аркуш «Діоди й транзистори» з відповідями
Джерело постійної напруги 9 V створює струм через резистор 2,2 kΩ, послідовно з яким увімкнено прямо зміщений кремнієвий діод. Використайте модель з постійним спадом 0,7 V на кожному відкритому діоді. Знайдіть струм I у mA.
NPN-транзистор з β = 75 зміщено базовим резистором RB = 390 kΩ від джерела живлення VCC = 10 V. Колекторний резистор RC = 1,5 kΩ, емітер заземлено. Візьміть VBE = 0,7 V і вважайте, що транзистор в активному режимі. Знайдіть струм колектора IC у mA.
NPN-транзистор з β = 100 має зміщення дільником напруги від VCC = 20 V: R₁ = 100 kΩ від VCC до бази й R₂ = 12 kΩ від бази до землі. Колекторний резистор RC = 2,2 kΩ, емітерний резистор RE = 470 Ω. Візьміть VBE = 0,7 V і використайте еквівалент Тевенена дільника (не нехтуйте струмом бази). Знайдіть напругу колектор–емітер VCE.
Стабілізатор на стабілітроні 5,1 В має послідовний резистор 680 Ом. Вхідна напруга може зрости до 18 В, а навантаження може бути відключене. Знайдіть найбільшу потужність PZ,max, яку має розсіювати стабілітрон.
NPN-транзистор з β = 50 комутує резистор навантаження 330 Ω, увімкнений між VCC = 9 V і його колектором. Емітер заземлено. Базу керують від логічного виходу 5 V через базовий резистор RB. Візьміть VBE = 0,7 V і VCE(sat) = 0,2 V. Знайдіть найбільший базовий резистор RB, у kΩ, за якого транзистор ще входить у насичення.
Ключ відповідей
- 1. ID = 2,339 mA
- 2. I = 3,773 mA
- 3. IC = 1,788 mA
- 4. VCE = 13,37 V
- 5. PZ,max = 96,75 mW
- 6. RB = 8,063 kΩ
Повні покрокові розв’язки: тренуйте цю тему на examproblems.com.