Робочий аркуш «Діоди й транзистори» з відповідями

Джерело постійної напруги 6 V підключено через резистор R₁ = 330 Ω до вузла X. Від вузла X до від’ємного затискача джерела є дві паралельні гілки: резистор R₂ = 1,5 kΩ і кремнієвий діод анодом до X. Використайте модель з постійним спадом 0,7 V. Знайдіть струм діода I_D у mA.

Джерело постійної напруги 15 V створює струм через резистор 3,3 kΩ, послідовно з яким увімкнено прямо зміщений кремнієвий діод. Використайте модель з постійним спадом 0,7 V на кожному відкритому діоді. Знайдіть струм I у mA.

NPN-транзистор з β = 120 має зміщення дільником напруги від V_CC = 20 V: R₁ = 56 kΩ від V_CC до бази й R₂ = 8,2 kΩ від бази до землі. Колекторний резистор R_C = 2,7 kΩ, емітерний резистор R_E = 1,5 kΩ. Візьміть V_BE = 0,7 V і використайте еквівалент Тевенена дільника (не нехтуйте струмом бази). Знайдіть напругу колектор–емітер V_CE.

NPN-транзистор з β = 100 зміщено базовим резистором R_B = 1000 kΩ від джерела живлення V_CC = 9 V. Колекторний резистор R_C = 4,7 kΩ, емітер заземлено. Візьміть V_BE = 0,7 V і вважайте, що транзистор в активному режимі. Знайдіть напругу колектор–емітер V_CE.

NPN-транзистор з β = 100 комутує резистор навантаження 330 Ω, увімкнений між V_CC = 9 V і його колектором. Емітер заземлено. Базу керують від логічного виходу 5 V через базовий резистор R_B = 10 kΩ. Візьміть V_BE = 0,7 V і V_CE(sat) = 0,2 V. Знайдіть струм колектора I_C у mA при високому рівні на вході. Спершу визначте, чи транзистор у насиченні.

NPN-транзистор з β = 200 комутує резистор навантаження 150 Ω, увімкнений між V_CC = 9 V і його колектором. Емітер заземлено. Базу керують від логічного виходу 3,3 V через базовий резистор R_B = 100 kΩ. Візьміть V_BE = 0,7 V і V_CE(sat) = 0,2 V. Знайдіть струм колектора I_C у mA при високому рівні на вході. Спершу визначте, чи транзистор у насиченні.