Робочий аркуш «Діоди й транзистори» з відповідями

Джерело постійної напруги 12 V підключено через резистор R₁ = 330 Ω до вузла X. Від вузла X до від’ємного затискача джерела є дві паралельні гілки: резистор R₂ = 1 kΩ і кремнієвий діод анодом до X. Використайте модель з постійним спадом 0,7 V. Знайдіть струм діода I_D у mA.

Джерело постійної напруги 15 V створює струм через резистор 470 Ω, послідовно з яким увімкнено прямо зміщений кремнієвий діод. Використайте модель з постійним спадом 0,7 V на кожному відкритому діоді. Знайдіть струм I у mA.

NPN-транзистор з β = 80 має зміщення дільником напруги від V_CC = 15 V: R₁ = 47 kΩ від V_CC до бази й R₂ = 8,2 kΩ від бази до землі. Колекторний резистор R_C = 2,2 kΩ, емітерний резистор R_E = 1,2 kΩ. Візьміть V_BE = 0,7 V і використайте еквівалент Тевенена дільника (не нехтуйте струмом бази). Знайдіть напругу колектор–емітер V_CE.

NPN-транзистор з β = 120 зміщено базовим резистором R_B = 330 kΩ від джерела живлення V_CC = 15 V. Колекторний резистор R_C = 2,2 kΩ, емітер заземлено. Візьміть V_BE = 0,7 V і вважайте, що транзистор в активному режимі. Знайдіть напругу колектор–емітер V_CE.

NPN-транзистор з β = 50 комутує резистор навантаження 1 kΩ, увімкнений між V_CC = 24 V і його колектором. Емітер заземлено. Базу керують від логічного виходу 3,3 V через базовий резистор R_B. Візьміть V_BE = 0,7 V і V_CE(sat) = 0,2 V. Для надійного перемикання розрахуйте струм бази в 4 разів більшим за мінімально потрібний для насичення. Знайдіть R_B у kΩ.

NPN-транзистор з β = 150 комутує резистор навантаження 330 Ω, увімкнений між V_CC = 24 V і його колектором. Емітер заземлено. Базу керують від логічного виходу 5 V через базовий резистор R_B. Візьміть V_BE = 0,7 V і V_CE(sat) = 0,2 V. Знайдіть найбільший базовий резистор R_B, у kΩ, за якого транзистор ще входить у насичення.