Робочий аркуш «Діоди й транзистори» з відповідями

Стабілітрон на 5,1 В живиться від 18 В через резистор 150 Ом без навантаження. Знайдіть струм I_R у резисторі.

Джерело постійної напруги 12 V підключено через резистор R₁ = 680 Ω до вузла X. Від вузла X до від’ємного затискача джерела є дві паралельні гілки: резистор R₂ = 680 Ω і кремнієвий діод анодом до X. Використайте модель з постійним спадом 0,7 V. Знайдіть струм діода I_D у mA.

NPN-транзистор з β = 50 зміщено базовим резистором R_B = 560 kΩ від джерела живлення V_CC = 12 V. Колекторний резистор R_C = 1,5 kΩ, емітер заземлено. Візьміть V_BE = 0,7 V і вважайте, що транзистор в активному режимі. Знайдіть напругу колектор–емітер V_CE.

NPN-транзистор з β = 120 має зміщення дільником напруги від V_CC = 20 V: R₁ = 56 kΩ від V_CC до бази й R₂ = 15 kΩ від бази до землі. Колекторний резистор R_C = 5,6 kΩ, емітерний резистор R_E = 2,2 kΩ. Візьміть V_BE = 0,7 V і використайте еквівалент Тевенена дільника (не нехтуйте струмом бази). Знайдіть напругу колектор–емітер V_CE.

Стабілізатор на стабілітроні 3,3 В має живити навантаження струмом до 20 мА. Вхідна напруга може впасти до 9 В, а стабілітрону для стабілізації потрібно щонайменше 2 мА. Знайдіть найбільший послідовний опір R_max, при якому стабілізація зберігається.

NPN-транзистор з β = 100 комутує резистор навантаження 470 Ω, увімкнений між V_CC = 9 V і його колектором. Емітер заземлено. Базу керують від логічного виходу 3,3 V через базовий резистор R_B. Візьміть V_BE = 0,7 V і V_CE(sat) = 0,2 V. Знайдіть найбільший базовий резистор R_B, у kΩ, за якого транзистор ще входить у насичення.