一个 10 V 直流电源驱动电流流过一个 220 Ω 电阻和一只与之串联的正偏硅二极管。 使用恒压降模型,每只导通二极管压降 0.7 V。求电流 I,以 mA 计。
二极管与晶体管练习卷(附答案)
1.简单
Vs = 10 VR = 220 ΩVD = 0.7 V
I = mA
2.简单
一个 5.1 V 的齐纳二极管通过 220 Ω 的电阻接到 9 V,不接负载。求电阻中的电流 IR。
Vin = 9 VVZ = 5.1 VR = 220 Ω
IR = mA
3.中等
一个 5.6 V 的齐纳稳压器通过 150 Ω 接到 15 V,并向 2200 Ω 的负载供电。求齐纳电流 IZ。
Vin = 15 VVZ = 5.6 VR = 150 ΩRL = 2200 Ω
IZ = mA
4.中等
一只 β = 100 的 NPN 晶体管由 VCC = 18 V 分压偏置:R₁ = 47 kΩ 接在 VCC 与基极之间,R₂ = 4.7 kΩ 接在基极与地之间。集电极电阻为 RC = 5.6 kΩ,发射极电阻为 RE = 1 kΩ。取 VBE = 0.7 V,并使用分压器的戴维南等效电路(不忽略基极电流)。 求集电极电流 IC,以 mA 计。
VCC = 18 VR1 = 47 kΩR2 = 4.7 kΩRC = 5.6 kΩRE = 1 kΩβ = 100
IC = mA
5.困难
一只 β = 100 的 NPN 晶体管控制一个接在 VCC = 5 V 与其集电极之间的 1 kΩ 负载电阻。发射极接地。基极由 3.3 V 逻辑输出经基极电阻 RB 驱动。取 VBE = 0.7 V,VCE(sat) = 0.2 V。 求仍能使晶体管刚好进入饱和的最大基极电阻 RB,以 kΩ 计。
VCC = 5 VRC = 1 kΩβ = 100Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 V
RB = kΩ
6.困难
一只 β = 80 的 NPN 晶体管控制一个接在 VCC = 5 V 与其集电极之间的 330 Ω 负载电阻。发射极接地。基极由 3.3 V 逻辑输出经基极电阻 RB 驱动。取 VBE = 0.7 V,VCE(sat) = 0.2 V。 为保证可靠开关,按饱和所需最小基极电流的 5 倍来设计基极电流。求 RB,以 kΩ 计。
VCC = 5 VRC = 330 Ωβ = 80Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 V过驱动系数 = 5
RB = kΩ
答案
- 1. I = 42.27 mA
- 2. IR = 17.73 mA
- 3. IZ = 60.12 mA
- 4. IC = 0.8895 mA
- 5. RB = 54.17 kΩ
- 6. RB = 2.86 kΩ
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