免费的二极管与晶体管练习题，附图示、提示和完整详细解答。每次数值都不同，分三个难度：二极管电路, BJT 静态工作点, BJT 用作开关。
做得好。想再做下一题吗？准备好做下一题了吗？ 每个主题每天都有 5 道新题。
学习本课之前： 串并联电阻
二极管只允许电流沿一个方向流动，就像水管里的单向阀。符号中的箭头指向电流可以流动的方向。
导通（正向偏置）时，硅二极管无论电流多大，两端都保持约 0.7 V 的电压。这就是恒压降模型。
所以导通的二极管就像一节会“拿走”电压的 0.7 V 小电池。电阻得到的是剩下的部分：
这里 n 是串联导通二极管的个数。反接时二极管截止，电流为零。
答案: 7.6 mA. I = (9 − 2·0.7)/1 kΩ = 7.6 mA。只算一个二极管会得到 8.3 mA，忽略二极管会得到 9 mA，把它们的电压加上去会得到 10.4 mA。
BJT（双极结型晶体管）有三个端子：基极（B）、集电极（C）和发射极（E）。在 NPN 型中，电流流入集电极和基极，从发射极流出。
一个很小的基极电流 IB 控制一个大得多的集电极电流 IC。它就像水龙头：手柄上的一点小力气，控制很大的水流。
在正常工作范围，即放大区，下面三个事实成立：
电流增益 β（贝塔）通常在 50 到 300 之间。基极－发射极结是一个二极管，所以 VBE 为 0.7 V。
答案: 4 mA. IC = β·IB = 80·0.05 = 4 mA。4.05 mA 是发射极电流 (β + 1)·IB，0.625 µA 是除以 β 而不是乘以 β。
集电极电流流过 RC，所以晶体管上剩下的电压是：
IC 不能无限增大。晶体管完全导通时，只剩下很小的 VCE(sat) ≈ 0.2 V，此时电流仅由 RC 决定：
要把晶体管用作开关，至少要给它 IB = IC(sat)/β，为保险起见常常取几倍。
答案: 5 mA. IC(sat) = (10.2 − 0.2)/2 = 5 mA。β·IB = 10 mA 比它大，所以晶体管饱和，IC = 5 mA。漏掉 0.2 V 会得到 5.1 mA。
对于基极电阻 RB 接到 VCC 的晶体管（固定偏置）：
电压用伏、电阻用 kΩ 时，电流的结果单位是 mA。这样数字好算。
跟着每一步走。打开下一步之前，先试着预测它。
一个 β = 100 的 NPN 晶体管，RB = 565 kΩ 从 VCC = 12 V 接到基极，RC = 2.2 kΩ，发射极接地。取 VBE = 0.7 V。求 IC 和 VCE。
基极电流由 VCC 经 RB 提供。
饱和电流应为 (12 − 0.2)/2.2 = 5.36 mA。我们算出的 2 mA 低于它，而且 VCE = 7.6 V 远高于 0.2 V。
所以晶体管确实处于放大区，使用 IC = β·IB 是允许的。
IC = 2 mA，VCE = 7.6 V。
答案: 8.96 kΩ. IC(sat) = 4.8/100 = 48 mA，所以 IB ≥ 0.48 mA，RB = (5 − 0.7)/0.48 = 8.96 kΩ。忘了 0.7 V 会得到 10.4 kΩ，忘了 β 会得到 89.6 Ω，漏掉 0.2 V 会得到 8.6 kΩ。
与电阻并联的二极管把该节点钳位在 0.7 V。电阻此时通过 0.7/R 的电流，其余电流由二极管承担。
对于分压偏置，先把分压器换成它的戴维南等效电路：
带过驱动系数 k 时，按最小基极电流的 k 倍来设计：RB = (Vin − 0.7) / (k·IC(sat)/β)。
一个 3.3 V 的齐纳二极管通过 470 Ω 的电阻接到 18 V，不接负载。求电阻中的电流 IR。
求： IR (mA)
齐纳稳压器：反向偏置的齐纳二极管在电流保持高于最小值 IZ,min 时维持其电压 VZ。串联电阻 R 承担输入与输出之间的差值：IR = (Vin − VZ)/R。该电流分给负载 IL = VZ/RL 和齐纳管 IZ = IR − IL。按最坏情况设计：最低输入与最大负载时仍须留有 IZ,min，而最高输入与空载时齐纳管功率最大，PZ = VZ·IZ。
一个 5.1 V 的齐纳稳压器通过 270 Ω 接到 12 V，并向 3300 Ω 的负载供电。求齐纳电流 IZ。
求： IZ (mA)
齐纳稳压器：反向偏置的齐纳二极管在电流保持高于最小值 IZ,min 时维持其电压 VZ。串联电阻 R 承担输入与输出之间的差值：IR = (Vin − VZ)/R。该电流分给负载 IL = VZ/RL 和齐纳管 IZ = IR − IL。按最坏情况设计：最低输入与最大负载时仍须留有 IZ,min，而最高输入与空载时齐纳管功率最大，PZ = VZ·IZ。
一只 β = 200 的 NPN 晶体管控制一个接在 VCC = 12 V 与其集电极之间的 150 Ω 负载电阻。发射极接地。基极由 5 V 逻辑输出经基极电阻 RB = 100 kΩ 驱动。取 VBE = 0.7 V，VCE(sat) = 0.2 V。 求输入为高电平时的集电极电流 IC，以 mA 计。先判断晶体管是否饱和。
求： IC (mA)
BJT 用作开关：要使负载完全导通，晶体管须驱动到饱和，此时 VCE = VCE(sat)，集电极电流由负载决定：IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC。饱和至少需要 IB = IC(sat)/β。若基极电流更小，晶体管仍处于放大区，IC = β·IB。
β·IB 小于 IC(sat)，所以晶体管仍处于放大区。
晶体管处于放大区，所以负载没有完全接通。
导通（正向偏置）时，硅二极管无论电流多大，两端都保持约 0.7 V 的电压。这就是恒压降模型。
所以导通的二极管就像一节会“拿走”电压的 0.7 V 小电池。电阻得到的是剩下的部分：
齐纳稳压器：反向偏置的齐纳二极管在电流保持高于最小值 IZ,min 时维持其电压 VZ。串联电阻 R 承担输入与输出之间的差值：IR = (Vin − VZ)/R。该电流分给负载 IL = VZ/RL 和齐纳管 IZ = IR − IL。按最坏情况设计：最低输入与最大负载时仍须留有 IZ,min，而最高输入与空载时齐纳管功率最大，PZ = VZ·IZ。
每道题的数值都不同，让你掌握方法，而不是记住答案。 卡住了？先打开一个小提示，需要时再查看完整解析。