一个 12 V 直流电源驱动电流流过一个 3.3 kΩ 电阻和与之串联的两只正偏硅二极管。 使用恒压降模型,每只导通二极管压降 0.7 V。求电流 I,以 mA 计。
二极管与晶体管练习卷(附答案)
1.简单
Vs = 12 VR = 3.3 kΩVD = 0.7 V
I = mA
2.简单
一个 10 V 直流电源驱动电流流过一个 470 Ω 电阻和与之串联的两只正偏硅二极管。 使用恒压降模型,每只导通二极管压降 0.7 V。求电流 I,以 mA 计。
Vs = 10 VR = 470 ΩVD = 0.7 V
I = mA
3.中等
一只 β = 120 的 NPN 晶体管由 VCC = 12 V 分压偏置:R₁ = 39 kΩ 接在 VCC 与基极之间,R₂ = 12 kΩ 接在基极与地之间。集电极电阻为 RC = 2.2 kΩ,发射极电阻为 RE = 1.2 kΩ。取 VBE = 0.7 V,并使用分压器的戴维南等效电路(不忽略基极电流)。 求集电极电流 IC,以 mA 计。
VCC = 12 VR1 = 39 kΩR2 = 12 kΩRC = 2.2 kΩRE = 1.2 kΩβ = 120
IC = mA
4.中等
一个 5.6 V 的齐纳稳压器通过 330 Ω 接到 9 V,并向 1500 Ω 的负载供电。求齐纳电流 IZ。
Vin = 9 VVZ = 5.6 VR = 330 ΩRL = 1500 Ω
IZ = mA
5.困难
一只 β = 50 的 NPN 晶体管控制一个接在 VCC = 9 V 与其集电极之间的 220 Ω 负载电阻。发射极接地。基极由 5 V 逻辑输出经基极电阻 RB = 3.3 kΩ 驱动。取 VBE = 0.7 V,VCE(sat) = 0.2 V。 求输入为高电平时的集电极电流 IC,以 mA 计。先判断晶体管是否饱和。
VCC = 9 VRC = 220 Ωβ = 50Vin = 5 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 VRB = 3.3 kΩ
IC = mA
6.困难
一只 β = 150 的 NPN 晶体管控制一个接在 VCC = 9 V 与其集电极之间的 680 Ω 负载电阻。发射极接地。基极由 3.3 V 逻辑输出经基极电阻 RB 驱动。取 VBE = 0.7 V,VCE(sat) = 0.2 V。 求仍能使晶体管刚好进入饱和的最大基极电阻 RB,以 kΩ 计。
VCC = 9 VRC = 680 Ωβ = 150Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 V
RB = kΩ
答案
- 1. I = 3.212 mA
- 2. I = 18.3 mA
- 3. IC = 1.651 mA
- 4. IZ = 6.57 mA
- 5. IC = 40 mA
- 6. RB = 30.14 kΩ
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