二极管与晶体管练习卷（附答案）

一个 6 V 直流电源经电阻 R₁ = 680 Ω 接到节点 X。从节点 X 到电源负极有两条并联支路：电阻 R₂ = 10 kΩ，以及一只阳极接 X 的硅二极管。使用 0.7 V 的恒压降模型。求二极管电流 I_D，以 mA 计。

一个 9 V 直流电源驱动电流流过一个 1 kΩ 电阻和与之串联的两只正偏硅二极管。 使用恒压降模型，每只导通二极管压降 0.7 V。求电流 I，以 mA 计。

一只 β = 120 的 NPN 晶体管由 V_CC = 18 V 分压偏置：R₁ = 100 kΩ 接在 V_CC 与基极之间，R₂ = 10 kΩ 接在基极与地之间。集电极电阻为 R_C = 1.5 kΩ，发射极电阻为 R_E = 2.2 kΩ。取 V_BE = 0.7 V，并使用分压器的戴维南等效电路（不忽略基极电流）。 求集电极–发射极电压 V_CE。

一只 β = 75 的 NPN 晶体管由电源 V_CC = 15 V 经基极电阻 R_B = 100 kΩ 偏置。集电极电阻为 R_C = 1.2 kΩ，发射极接地。取 V_BE = 0.7 V，并假设晶体管工作在放大区。 求集电极–发射极电压 V_CE。

一个 5.6 V 的齐纳稳压器有一个 220 Ω 的串联电阻。输入可能升到 11 V，负载可能被断开。求齐纳管必须耗散的最大功率 P_Z,max。

一只 β = 80 的 NPN 晶体管控制一个接在 V_CC = 12 V 与其集电极之间的 1 kΩ 负载电阻。发射极接地。基极由 3.3 V 逻辑输出经基极电阻 R_B 驱动。取 V_BE = 0.7 V，V_CE(sat) = 0.2 V。 求仍能使晶体管刚好进入饱和的最大基极电阻 R_B，以 kΩ 计。