二极管与晶体管练习卷（附答案）

一个 9 V 直流电源驱动电流流过一个 330 Ω 电阻和与之串联的两只正偏硅二极管。 使用恒压降模型，每只导通二极管压降 0.7 V。求电流 I，以 mA 计。

一个 5.6 V 的齐纳二极管通过 100 Ω 的电阻接到 12 V，不接负载。求电阻中的电流 I_R。

一只 β = 150 的 NPN 晶体管由电源 V_CC = 15 V 经基极电阻 R_B = 560 kΩ 偏置。集电极电阻为 R_C = 2.2 kΩ，发射极接地。取 V_BE = 0.7 V，并假设晶体管工作在放大区。 求集电极–发射极电压 V_CE。

一只 β = 80 的 NPN 晶体管由 V_CC = 20 V 分压偏置：R₁ = 100 kΩ 接在 V_CC 与基极之间，R₂ = 15 kΩ 接在基极与地之间。集电极电阻为 R_C = 2.7 kΩ，发射极电阻为 R_E = 680 Ω。取 V_BE = 0.7 V，并使用分压器的戴维南等效电路（不忽略基极电流）。 求集电极–发射极电压 V_CE。

一只 β = 200 的 NPN 晶体管控制一个接在 V_CC = 5 V 与其集电极之间的 680 Ω 负载电阻。发射极接地。基极由 5 V 逻辑输出经基极电阻 R_B = 1 kΩ 驱动。取 V_BE = 0.7 V，V_CE(sat) = 0.2 V。 求输入为高电平时的集电极电流 I_C，以 mA 计。先判断晶体管是否饱和。

一只 β = 200 的 NPN 晶体管控制一个接在 V_CC = 9 V 与其集电极之间的 470 Ω 负载电阻。发射极接地。基极由 5 V 逻辑输出经基极电阻 R_B 驱动。取 V_BE = 0.7 V，V_CE(sat) = 0.2 V。 求仍能使晶体管刚好进入饱和的最大基极电阻 R_B，以 kΩ 计。