一个 10 V 直流电源驱动电流流过一个 680 Ω 电阻和一只与之串联的正偏硅二极管。 使用恒压降模型,每只导通二极管压降 0.7 V。求电流 I,以 mA 计。
二极管与晶体管练习卷(附答案)
1.简单
Vs = 10 VR = 680 ΩVD = 0.7 V
I = mA
2.简单
一个 12 V 直流电源驱动电流流过一个 3.3 kΩ 电阻和一只与之串联的正偏硅二极管。 使用恒压降模型,每只导通二极管压降 0.7 V。求电流 I,以 mA 计。
Vs = 12 VR = 3.3 kΩVD = 0.7 V
I = mA
3.中等
一只 β = 80 的 NPN 晶体管由电源 VCC = 15 V 经基极电阻 RB = 150 kΩ 偏置。集电极电阻为 RC = 1.5 kΩ,发射极接地。取 VBE = 0.7 V,并假设晶体管工作在放大区。 求集电极–发射极电压 VCE。
VCC = 15 VRB = 150 kΩRC = 1.5 kΩβ = 80VBE = 0.7 V
VCE = V
4.中等
一个 5.1 V 的齐纳稳压器通过 470 Ω 接到 18 V,并向 680 Ω 的负载供电。求齐纳电流 IZ。
Vin = 18 VVZ = 5.1 VR = 470 ΩRL = 680 Ω
IZ = mA
5.困难
一个二极管被建模为 0.6 V 与 20 Ω 串联(高于 0.6 V 时导通)。它与一个 330 Ω 的电阻串联,接在 3 V 电源两端。求二极管线与负载线相交处的工作电流 ID。
Vs = 3 VR = 330 ΩV0 = 0.6 Vrd = 20 Ω
ID = mA
6.困难
一只 β = 50 的 NPN 晶体管控制一个接在 VCC = 12 V 与其集电极之间的 150 Ω 负载电阻。发射极接地。基极由 3.3 V 逻辑输出经基极电阻 RB = 100 kΩ 驱动。取 VBE = 0.7 V,VCE(sat) = 0.2 V。 求输入为高电平时的集电极电流 IC,以 mA 计。先判断晶体管是否饱和。
VCC = 12 VRC = 150 Ωβ = 50Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 VRB = 100 kΩ
IC = mA
答案
- 1. I = 13.68 mA
- 2. I = 3.424 mA
- 3. VCE = 3.56 V
- 4. IZ = 19.95 mA
- 5. ID = 6.857 mA
- 6. IC = 1.3 mA
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