一个 24 V 直流电源驱动电流流过一个 4.7 kΩ 电阻和一只与之串联的正偏硅二极管。 使用恒压降模型,每只导通二极管压降 0.7 V。求电流 I,以 mA 计。
二极管与晶体管练习卷(附答案)
1.简单
Vs = 24 VR = 4.7 kΩVD = 0.7 V
I = mA
2.简单
一个 3.3 V 的齐纳二极管通过 150 Ω 的电阻接到 18 V,不接负载。求电阻中的电流 IR。
Vin = 18 VVZ = 3.3 VR = 150 Ω
IR = mA
3.中等
一只 β = 150 的 NPN 晶体管由 VCC = 20 V 分压偏置:R₁ = 33 kΩ 接在 VCC 与基极之间,R₂ = 22 kΩ 接在基极与地之间。集电极电阻为 RC = 3.3 kΩ,发射极电阻为 RE = 2.2 kΩ。取 VBE = 0.7 V,并使用分压器的戴维南等效电路(不忽略基极电流)。 求集电极–发射极电压 VCE。
VCC = 20 VR1 = 33 kΩR2 = 22 kΩRC = 3.3 kΩRE = 2.2 kΩβ = 150
VCE = V
4.中等
一只 β = 75 的 NPN 晶体管由电源 VCC = 10 V 经基极电阻 RB = 390 kΩ 偏置。集电极电阻为 RC = 3.3 kΩ,发射极接地。取 VBE = 0.7 V,并假设晶体管工作在放大区。 求集电极电流 IC,以 mA 计。
VCC = 10 VRB = 390 kΩRC = 3.3 kΩβ = 75VBE = 0.7 V
IC = mA
5.困难
一只 β = 80 的 NPN 晶体管控制一个接在 VCC = 5 V 与其集电极之间的 150 Ω 负载电阻。发射极接地。基极由 5 V 逻辑输出经基极电阻 RB = 22 kΩ 驱动。取 VBE = 0.7 V,VCE(sat) = 0.2 V。 求输入为高电平时的集电极电流 IC,以 mA 计。先判断晶体管是否饱和。
VCC = 5 VRC = 150 Ωβ = 80Vin = 5 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 VRB = 22 kΩ
IC = mA
6.困难
一个二极管被建模为 0.6 V 与 20 Ω 串联(高于 0.6 V 时导通)。它与一个 470 Ω 的电阻串联,接在 6 V 电源两端。求二极管线与负载线相交处的工作电流 ID。
Vs = 6 VR = 470 ΩV0 = 0.6 Vrd = 20 Ω
ID = mA
答案
- 1. I = 4.957 mA
- 2. IR = 98 mA
- 3. VCE = 2.517 V
- 4. IC = 1.788 mA
- 5. IC = 15.64 mA
- 6. ID = 11.02 mA
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