ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات

مصدر تيار مستمر 6 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 220 Ω على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.

يعمل LED زرقاء بجهد أمامي 3,2 V من مصدر 9 V عبر مقاومة توالية. أوجد المقاومة R التي تجعل تيار LED مساويًا 25 mA.

ترانزستور NPN بـ β = 80 منحاز بمقاومة قاعدة R_B = 100 kΩ من المصدر V_CC = 10 V. مقاومة المجمِّع R_C = 1 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ V_BE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد تيار المجمِّع I_C بالـ mA.

ترانزستور NPN بـ β = 120 منحاز بمقسّم جهد من V_CC = 15 V: R₁ = 47 kΩ من V_CC إلى القاعدة و R₂ = 8,2 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع R_C = 1,5 kΩ ومقاومة الباعث R_E = 680 Ω. خذ V_BE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد تيار المجمِّع I_C بالـ mA.

ترانزستور NPN بـ β = 80 يتحكّم بمقاومة حمل 150 Ω موصولة بين V_CC = 24 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة R_B. خذ V_BE = 0,7 V و V_CE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 10 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد R_B بالـ kΩ.

ترانزستور NPN بـ β = 80 يتحكّم بمقاومة حمل 680 Ω موصولة بين V_CC = 24 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة R_B. خذ V_BE = 0,7 V و V_CE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 3 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد R_B بالـ kΩ.