مصدر تيار مستمر 15 V موصول عبر المقاومة R₁ = 2,2 kΩ بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 10 kΩ، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي ID بالـ mA.
مصدر تيار مستمر 5 V موصول عبر المقاومة R₁ = 1,5 kΩ بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 3,3 kΩ، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي ID بالـ mA.
يُغذّى منظم زينر 3,3 V من 24 V عبر 470 Ω ويغذّي حملًا 1500 Ω. أوجد تيار زينر IZ.
ترانزستور NPN بـ β = 80 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 150 kΩ من المصدر VCC = 10 V. مقاومة المجمِّع RC = 1,5 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
لمنظم زينر 5,6 V مقاومة توالٍ 270 Ω. قد يرتفع الدخل إلى 21 V، وقد يكون الحمل مفصولًا. أوجد أكبر قدرة PZ,max يجب أن يبددها زينر.
ترانزستور NPN بـ β = 80 يتحكّم بمقاومة حمل 100 Ω موصولة بين VCC = 12 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB = 10 kΩ. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA عندما يكون الدخل مرتفعًا. حدّد أولًا ما إذا كان الترانزستور مشبّعًا.
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.