ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات

مصدر تيار مستمر 5 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 330 Ω على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.

يُغذّى صمام زينر 5,6 V من 9 V عبر مقاومة 100 Ω، دون حمل موصول. أوجد التيار I_R في المقاومة.

ترانزستور NPN بـ β = 100 منحاز بمقسّم جهد من V_CC = 15 V: R₁ = 33 kΩ من V_CC إلى القاعدة و R₂ = 10 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع R_C = 1 kΩ ومقاومة الباعث R_E = 1 kΩ. خذ V_BE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد تيار المجمِّع I_C بالـ mA.

ترانزستور NPN بـ β = 50 منحاز بمقاومة قاعدة R_B = 150 kΩ من المصدر V_CC = 9 V. مقاومة المجمِّع R_C = 1,5 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ V_BE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد جهد المجمِّع–الباعث V_CE.

يُنمذج صمام ثنائي بـ 0,7 V على التوالي مع 20 Ω (يوصل فوق 0,7 V). وهو على التوالي مع مقاومة 330 Ω عبر مصدر 3 V. أوجد تيار التشغيل I_D حيث يلتقي خط الصمام بخط الحمل.

ترانزستور NPN بـ β = 100 يتحكّم بمقاومة حمل 150 Ω موصولة بين V_CC = 24 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة R_B. خذ V_BE = 0,7 V و V_CE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة R_B، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.