مصدر تيار مستمر 12 V موصول عبر المقاومة R₁ = 470 Ω بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 1 kΩ، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي ID بالـ mA.
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
مصدر تيار مستمر 15 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 4,7 kΩ على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
يُغذّى منظم زينر 9,1 V من 24 V عبر 470 Ω ويغذّي حملًا 680 Ω. أوجد تيار زينر IZ.
ترانزستور NPN بـ β = 100 منحاز بمقسّم جهد من VCC = 15 V: R₁ = 56 kΩ من VCC إلى القاعدة و R₂ = 22 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع RC = 1 kΩ ومقاومة الباعث RE = 470 Ω. خذ VBE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
ترانزستور NPN بـ β = 50 يتحكّم بمقاومة حمل 150 Ω موصولة بين VCC = 24 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 4 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد RB بالـ kΩ.
يُنمذج صمام ثنائي بـ 0,6 V على التوالي مع 50 Ω (يوصل فوق 0,6 V). وهو على التوالي مع مقاومة 220 Ω عبر مصدر 6 V. أوجد تيار التشغيل ID حيث يلتقي خط الصمام بخط الحمل.
مفتاح الإجابات
- 1. ID = 23,34 mA
- 2. I = 2,894 mA
- 3. IZ = 18,32 mA
- 4. VCE = 6,77 V
- 5. RB = 0,2048 kΩ
- 6. ID = 20 mA
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.