مصدر تيار مستمر 15 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 1 kΩ على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
مصدر تيار مستمر 24 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 2,2 kΩ على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
ترانزستور NPN بـ β = 120 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 560 kΩ من المصدر VCC = 12 V. مقاومة المجمِّع RC = 470 Ω والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
ترانزستور NPN بـ β = 80 منحاز بمقسّم جهد من VCC = 12 V: R₁ = 82 kΩ من VCC إلى القاعدة و R₂ = 15 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع RC = 2,2 kΩ ومقاومة الباعث RE = 680 Ω. خذ VBE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
يجب أن يغذّي منظم زينر 5,6 V حملًا بتيار يصل إلى 30 mA. قد ينخفض الدخل إلى 15 V، ويحتاج زينر إلى 1 mA على الأقل ليظل منظِّمًا. أوجد أكبر مقاومة توالٍ Rmax تبقيه منظِّمًا.
ترانزستور NPN بـ β = 80 يتحكّم بمقاومة حمل 470 Ω موصولة بين VCC = 5 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 5 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد RB بالـ kΩ.
مفتاح الإجابات
- 1. I = 14,3 mA
- 2. I = 10,27 mA
- 3. IC = 2,421 mA
- 4. IC = 1,364 mA
- 5. Rmax = 303,2 Ω
- 6. RB = 6,737 kΩ
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.