1.سهلة
مصدر تيار مستمر 12 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 2,2 kΩ على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 12 VR = 2,2 kΩVD = 0,7 V
I = mA
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
2.سهلة
مصدر تيار مستمر 10 V موصول عبر المقاومة R₁ = 330 Ω بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 10 kΩ، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي ID بالـ mA.
Vs = 10 VR1 = 330 ΩR2 = 10 kΩVD = 0,7 V
ID = mA
3.متوسطة
ترانزستور NPN بـ β = 200 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 680 kΩ من المصدر VCC = 15 V. مقاومة المجمِّع RC = 470 Ω والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
VCC = 15 VRB = 680 kΩRC = 470 Ωβ = 200VBE = 0,7 V
IC = mA
4.متوسطة
ترانزستور NPN بـ β = 120 منحاز بمقسّم جهد من VCC = 12 V: R₁ = 22 kΩ من VCC إلى القاعدة و R₂ = 4,7 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع RC = 2,7 kΩ ومقاومة الباعث RE = 470 Ω. خذ VBE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
VCC = 12 VR1 = 22 kΩR2 = 4,7 kΩRC = 2,7 kΩRE = 470 Ωβ = 120
IC = mA
5.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 80 يتحكّم بمقاومة حمل 100 Ω موصولة بين VCC = 5 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB = 47 kΩ. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA عندما يكون الدخل مرتفعًا. حدّد أولًا ما إذا كان الترانزستور مشبّعًا.
VCC = 5 VRC = 100 Ωβ = 80Vin = 3,3 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 VRB = 47 kΩ
IC = mA
6.صعبة
لمنظم زينر 3,3 V مقاومة توالٍ 220 Ω. قد يرتفع الدخل إلى 23 V، وقد يكون الحمل مفصولًا. أوجد أكبر قدرة PZ,max يجب أن يبددها زينر.
Vin,max = 23 VVZ = 3,3 VR = 220 Ω
PZ,max = mW
مفتاح الإجابات
- 1. I = 4,818 mA
- 2. ID = 28,11 mA
- 3. IC = 4,206 mA
- 4. IC = 2,79 mA
- 5. IC = 4,426 mA
- 6. PZ,max = 295,5 mW
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.