Eine 3,3-V-Z-Diode wird aus 20 V über einen Widerstand von 100 Ω gespeist, ohne angeschlossene Last. Bestimme den Strom IR im Widerstand.
Arbeitsblatt Dioden und Transistoren mit Lösungen
Eine Gleichspannungsquelle mit 24 V treibt einen Strom durch einen Widerstand von 4,7 kΩ in Reihe mit zwei in Durchlassrichtung gepolten Siliziumdioden. Verwende das Modell mit konstantem Spannungsabfall von 0,7 V pro leitender Diode. Bestimme den Strom I in mA.
Ein NPN-Transistor mit β = 200 wird mit einem Spannungsteiler an VCC = 18 V eingestellt: R₁ = 47 kΩ von VCC zur Basis und R₂ = 4,7 kΩ von der Basis nach Masse. Der Kollektorwiderstand ist RC = 3,3 kΩ und der Emitterwiderstand RE = 680 Ω. Nimm VBE = 0,7 V an und verwende das Thévenin-Ersatzschaltbild des Teilers (vernachlässige den Basisstrom nicht). Bestimme den Kollektorstrom IC in mA.
Ein 5,1-V-Z-Dioden-Regler wird aus 20 V über 680 Ω gespeist und versorgt eine Last von 680 Ω. Bestimme den Zenerstrom IZ.
Ein NPN-Transistor mit β = 80 schaltet einen Lastwiderstand von 330 Ω, der zwischen VCC = 9 V und seinem Kollektor liegt. Der Emitter liegt auf Masse. Die Basis wird von einem Logikausgang mit 3,3 V über einen Basiswiderstand RB angesteuert. Nimm VBE = 0,7 V und VCE(sat) = 0,2 V an. Lege für sicheres Schalten einen Basisstrom aus, der 10-mal so groß ist wie das für die Sättigung nötige Minimum. Bestimme RB in kΩ.
Ein NPN-Transistor mit β = 150 schaltet einen Lastwiderstand von 680 Ω, der zwischen VCC = 24 V und seinem Kollektor liegt. Der Emitter liegt auf Masse. Die Basis wird von einem Logikausgang mit 3,3 V über einen Basiswiderstand RB angesteuert. Nimm VBE = 0,7 V und VCE(sat) = 0,2 V an. Lege für sicheres Schalten einen Basisstrom aus, der 10-mal so groß ist wie das für die Sättigung nötige Minimum. Bestimme RB in kΩ.
Lösungsschlüssel
- 1. IR = 167 mA
- 2. I = 4,809 mA
- 3. IC = 1,329 mA
- 4. IZ = 14,41 mA
- 5. RB = 0,78 kΩ
- 6. RB = 1,114 kΩ
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