Arbeitsblatt Dioden und Transistoren mit Lösungen

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1.Leicht
+−Vs​5 VR = 3,3 kΩD​I = ?

Eine Gleichspannungsquelle mit 5 V treibt einen Strom durch einen Widerstand von 3,3 kΩ in Reihe mit einer in Durchlassrichtung gepolten Siliziumdiode. Verwende das Modell mit konstantem Spannungsabfall von 0,7 V pro leitender Diode. Bestimme den Strom I in mA.

Vs = 5 VR = 3,3 kΩVD = 0,7 V
I = mA
2.Leicht
+−Vs​5 VR = 680 ΩD​I = ?

Eine Gleichspannungsquelle mit 5 V treibt einen Strom durch einen Widerstand von 680 Ω in Reihe mit einer in Durchlassrichtung gepolten Siliziumdiode. Verwende das Modell mit konstantem Spannungsabfall von 0,7 V pro leitender Diode. Bestimme den Strom I in mA.

Vs = 5 VR = 680 ΩVD = 0,7 V
I = mA
3.Mittel
RC​ = 3,3 kΩβ = 120IC​ = ?RE​ = 1,5 kΩVCC​ = 20 VR1​ = 33 kΩR2​ = 12 kΩ

Ein NPN-Transistor mit β = 120 wird mit einem Spannungsteiler an VCC = 20 V eingestellt: R₁ = 33 kΩ von VCC zur Basis und R₂ = 12 kΩ von der Basis nach Masse. Der Kollektorwiderstand ist RC = 3,3 kΩ und der Emitterwiderstand RE = 1,5 kΩ. Nimm VBE = 0,7 V an und verwende das Thévenin-Ersatzschaltbild des Teilers (vernachlässige den Basisstrom nicht). Bestimme den Kollektorstrom IC in mA.

VCC = 20 VR1 = 33 kΩR2 = 12 kΩRC = 3,3 kΩRE = 1,5 kΩβ = 120
IC = mA
4.Mittel
RC​ = 3,3 kΩβ = 100IC​ = ?VCC​ = 15 VRB​ = 470 kΩ

Ein NPN-Transistor mit β = 100 wird über einen Basiswiderstand RB = 470 kΩ aus der Versorgung VCC = 15 V eingestellt. Der Kollektorwiderstand ist RC = 3,3 kΩ, und der Emitter liegt auf Masse. Nimm VBE = 0,7 V an und gehe davon aus, dass der Transistor im aktiven Bereich arbeitet. Bestimme den Kollektorstrom IC in mA.

VCC = 15 VRB = 470 kΩRC = 3,3 kΩβ = 100VBE = 0,7 V
IC = mA
5.Schwer
RC​ = 220 Ωβ = 80VCC​ = 5 V3,3 VRB​ = ?

Ein NPN-Transistor mit β = 80 schaltet einen Lastwiderstand von 220 Ω, der zwischen VCC = 5 V und seinem Kollektor liegt. Der Emitter liegt auf Masse. Die Basis wird von einem Logikausgang mit 3,3 V über einen Basiswiderstand RB angesteuert. Nimm VBE = 0,7 V und VCE(sat) = 0,2 V an. Lege für sicheres Schalten einen Basisstrom aus, der 2-mal so groß ist wie das für die Sättigung nötige Minimum. Bestimme RB in kΩ.

VCC = 5 VRC = 220 Ωβ = 80Vin = 3,3 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 VÜbersteuerungsfaktor = 2
RB = kΩ
6.Schwer
RC​ = 330 Ωβ = 50VCC​ = 24 V5 VRB​ = ?

Ein NPN-Transistor mit β = 50 schaltet einen Lastwiderstand von 330 Ω, der zwischen VCC = 24 V und seinem Kollektor liegt. Der Emitter liegt auf Masse. Die Basis wird von einem Logikausgang mit 5 V über einen Basiswiderstand RB angesteuert. Nimm VBE = 0,7 V und VCE(sat) = 0,2 V an. Bestimme den größten Basiswiderstand RB in kΩ, der den Transistor gerade noch in die Sättigung steuert.

VCC = 24 VRC = 330 Ωβ = 50Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 V
RB = kΩ

Lösungsschlüssel

  1. 1. I = 1,303 mA
  2. 2. I = 6,324 mA
  3. 3. IC = 2,922 mA
  4. 4. IC = 3,043 mA
  5. 5. RB = 4,767 kΩ
  6. 6. RB = 2,981 kΩ

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