Arbeitsblatt Dioden und Transistoren mit Lösungen

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1.Leicht
+−9 V150 Ω5,6 VIR​ = ?

Eine 5,6-V-Z-Diode wird aus 9 V über einen Widerstand von 150 Ω gespeist, ohne angeschlossene Last. Bestimme den Strom IR im Widerstand.

Vin = 9 VVZ = 5,6 VR = 150 Ω
IR = mA
2.Leicht
+−24 VR = ?2,2 V15 mA

Eine LED (grün) mit einer Durchlassspannung von 2,2 V wird über einen Vorwiderstand aus einer Versorgung von 24 V betrieben. Bestimme den Widerstand R, der den LED-Strom auf 15 mA einstellt.

Vs = 24 VVF = 2,2 VI = 15 mA
R = Ω
3.Mittel
RC​ = 4,7 kΩβ = 80RE​ = 2,2 kΩVCC​ = 15 VR1​ = 33 kΩR2​ = 4,7 kΩ

Ein NPN-Transistor mit β = 80 wird mit einem Spannungsteiler an VCC = 15 V eingestellt: R₁ = 33 kΩ von VCC zur Basis und R₂ = 4,7 kΩ von der Basis nach Masse. Der Kollektorwiderstand ist RC = 4,7 kΩ und der Emitterwiderstand RE = 2,2 kΩ. Nimm VBE = 0,7 V an und verwende das Thévenin-Ersatzschaltbild des Teilers (vernachlässige den Basisstrom nicht). Bestimme die Kollektor-Emitter-Spannung VCE.

VCC = 15 VR1 = 33 kΩR2 = 4,7 kΩRC = 4,7 kΩRE = 2,2 kΩβ = 80
VCE = V
4.Mittel
RC​ = 1,5 kΩβ = 75VCC​ = 10 VRB​ = 820 kΩ

Ein NPN-Transistor mit β = 75 wird über einen Basiswiderstand RB = 820 kΩ aus der Versorgung VCC = 10 V eingestellt. Der Kollektorwiderstand ist RC = 1,5 kΩ, und der Emitter liegt auf Masse. Nimm VBE = 0,7 V an und gehe davon aus, dass der Transistor im aktiven Bereich arbeitet. Bestimme die Kollektor-Emitter-Spannung VCE.

VCC = 10 VRB = 820 kΩRC = 1,5 kΩβ = 75VBE = 0,7 V
VCE = V
5.Schwer
+−≤ 23 V100 Ω5,1 V

Ein 5,1-V-Z-Dioden-Regler hat einen Vorwiderstand von 100 Ω. Die Eingangsspannung kann auf 23 V steigen, und die Last kann abgetrennt werden. Bestimme die größte Leistung PZ,max, die die Z-Diode in Wärme umsetzen muss.

Vin,max = 23 VVZ = 5,1 VR = 100 Ω
PZ,max = mW
6.Schwer
RC​ = 680 Ωβ = 80VCC​ = 5 V5 VRB​ = ?

Ein NPN-Transistor mit β = 80 schaltet einen Lastwiderstand von 680 Ω, der zwischen VCC = 5 V und seinem Kollektor liegt. Der Emitter liegt auf Masse. Die Basis wird von einem Logikausgang mit 5 V über einen Basiswiderstand RB angesteuert. Nimm VBE = 0,7 V und VCE(sat) = 0,2 V an. Bestimme den größten Basiswiderstand RB in kΩ, der den Transistor gerade noch in die Sättigung steuert.

VCC = 5 VRC = 680 Ωβ = 80Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 V
RB = kΩ

Lösungsschlüssel

  1. 1. IR = 22,67 mA
  2. 2. R = 1453 Ω
  3. 3. VCE = 11,44 V
  4. 4. VCE = 8,724 V
  5. 5. PZ,max = 912,9 mW
  6. 6. RB = 48,73 kΩ

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