Fiche d’exercices de Diodes et transistors avec corrigé

Une source continue de 6 V fait circuler un courant dans une résistance de 680 Ω en série avec deux diodes au silicium polarisées en direct. Utilisez le modèle à seuil constant avec 0,7 V par diode passante. Trouvez le courant I en mA.

Une source continue de 15 V est reliée par la résistance R₁ = 1,5 kΩ à un nœud X. Entre le nœud X et la borne négative de la source, il y a deux branches en parallèle : la résistance R₂ = 10 kΩ et une diode au silicium dont l’anode est en X. Utilisez le modèle à seuil constant avec 0,7 V. Trouvez le courant dans la diode I_D en mA.

Un transistor NPN de β = 200 est polarisé par un pont diviseur à partir de V_CC = 20 V : R₁ = 39 kΩ entre V_CC et la base, et R₂ = 12 kΩ entre la base et la masse. La résistance de collecteur vaut R_C = 3,3 kΩ et la résistance d’émetteur R_E = 2,2 kΩ. Prenez V_BE = 0,7 V et utilisez l’équivalent de Thévenin du pont diviseur (sans négliger le courant de base). Trouvez la tension collecteur–émetteur V_CE.

Un transistor NPN de β = 80 est polarisé par un pont diviseur à partir de V_CC = 12 V : R₁ = 33 kΩ entre V_CC et la base, et R₂ = 10 kΩ entre la base et la masse. La résistance de collecteur vaut R_C = 5,6 kΩ et la résistance d’émetteur R_E = 1,5 kΩ. Prenez V_BE = 0,7 V et utilisez l’équivalent de Thévenin du pont diviseur (sans négliger le courant de base). Trouvez la tension collecteur–émetteur V_CE.

Un transistor NPN de β = 150 commande une résistance de charge de 220 Ω branchée entre V_CC = 9 V et son collecteur. L’émetteur est à la masse. La base est attaquée par une sortie logique de 3,3 V à travers une résistance de base R_B. Prenez V_BE = 0,7 V et V_CE(sat) = 0,2 V. Trouvez la plus grande résistance de base R_B, en kΩ, qui amène encore tout juste le transistor en saturation.

Un transistor NPN de β = 150 commande une résistance de charge de 680 Ω branchée entre V_CC = 24 V et son collecteur. L’émetteur est à la masse. La base est attaquée par une sortie logique de 5 V à travers une résistance de base R_B. Prenez V_BE = 0,7 V et V_CE(sat) = 0,2 V. Trouvez la plus grande résistance de base R_B, en kΩ, qui amène encore tout juste le transistor en saturation.