Une source continue de 24 V fait circuler un courant dans une résistance de 220 Ω en série avec deux diodes au silicium polarisées en direct. Utilisez le modèle à seuil constant avec 0,7 V par diode passante. Trouvez le courant I en mA.
Une diode Zener de 5,6 V est alimentée sous 12 V à travers une résistance de 270 Ω, sans charge connectée. Trouvez le courant IR dans la résistance.
Un transistor NPN de β = 50 est polarisé par une résistance de base RB = 560 kΩ reliée à l’alimentation VCC = 15 V. La résistance de collecteur vaut RC = 2,7 kΩ et l’émetteur est à la masse. Prenez VBE = 0,7 V et supposez que le transistor est en régime actif. Trouvez la tension collecteur–émetteur VCE.
Un transistor NPN de β = 200 est polarisé par un pont diviseur à partir de VCC = 20 V : R₁ = 22 kΩ entre VCC et la base, et R₂ = 6,8 kΩ entre la base et la masse. La résistance de collecteur vaut RC = 3,3 kΩ et la résistance d’émetteur RE = 1,5 kΩ. Prenez VBE = 0,7 V et utilisez l’équivalent de Thévenin du pont diviseur (sans négliger le courant de base). Trouvez la tension collecteur–émetteur VCE.
Un transistor NPN de β = 100 commande une résistance de charge de 330 Ω branchée entre VCC = 24 V et son collecteur. L’émetteur est à la masse. La base est attaquée par une sortie logique de 3,3 V à travers une résistance de base RB. Prenez VBE = 0,7 V et VCE(sat) = 0,2 V. Pour une commutation fiable, dimensionnez le circuit pour un courant de base 3 fois supérieur au minimum nécessaire à la saturation. Trouvez RB en kΩ.
Une diode est modélisée par 0,65 V en série avec 10 Ω (elle conduit au-dessus de 0,65 V). Elle est en série avec une résistance de 1000 Ω aux bornes d’une alimentation de 12 V. Trouvez le courant de fonctionnement ID à l’intersection de la caractéristique de la diode et de la droite de charge.
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