एक अनावेशित संधारित्र C = 100 µF को 12 V सोपान स्रोत से एक प्रतिरोधक R = 2.2 kΩ के माध्यम से आवेशित किया जाता है। t = 220 ms पर संधारित्र वोल्टता vC ज्ञात कीजिए।
उत्तरों सहित सोपान अनुक्रिया वर्कशीट
एक अनावेशित संधारित्र C = 10 µF को 24 V सोपान स्रोत से एक प्रतिरोधक R = 1 kΩ के माध्यम से आवेशित किया जाता है। संधारित्र वोल्टता का 10–90 % उत्थान समय tr ms में ज्ञात कीजिए।
एक तंत्र का अंतरण फलन G(s) = 132/(s² + 10s + 44) है और इसे एकांक सोपान इनपुट मिलता है। सोपान अनुक्रिया का प्रतिशत अतिलंघन %OS ज्ञात कीजिए।
एक तंत्र का अंतरण फलन G(s) = 168/(s² + 7s + 84) है और इसे एकांक सोपान इनपुट मिलता है। ध्रुव s = σ ± jωd हैं। वास्तविक भाग σ ज्ञात कीजिए।
R = 849 Ω, L = 500 mH और C = 1 µF वाला एक श्रेणी RLC परिपथ t = 0 पर 5 V सोपान से जोड़ा जाता है। सोपान से पहले संधारित्र अनावेशित है और कोई धारा नहीं बहती। अनवमंदित प्राकृतिक आवृत्ति ωn rad/s में ज्ञात कीजिए।
एक एकांक ऋणात्मक पुनर्निवेश लूप में G(s) = K/(s(s + 8)) है। वह लब्धि K ज्ञात कीजिए जो 5 % अतिलंघन वाली सोपान अनुक्रिया देती है।
उत्तर कुंजी
- 1. vC = 7.585 V
- 2. tr = 21.97 ms
- 3. %OS = 2.722 %
- 4. σ = −3.5
- 5. ωn = 1414 rad/s
- 6. K = 33.6
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