एक अनावेशित संधारित्र C = 100 µF को 10 V सोपान स्रोत से एक प्रतिरोधक R = 47 kΩ के माध्यम से आवेशित किया जाता है। संधारित्र वोल्टता का 10–90 % उत्थान समय tr ms में ज्ञात कीजिए।
उत्तरों सहित सोपान अनुक्रिया वर्कशीट
एक अनावेशित संधारित्र C = 4.7 µF को 24 V सोपान स्रोत से एक प्रतिरोधक R = 47 kΩ के माध्यम से आवेशित किया जाता है। t = 220.9 ms पर संधारित्र वोल्टता vC ज्ञात कीजिए।
एक तंत्र का अंतरण फलन G(s) = 31/(s² + 2s + 62) है और इसे एकांक सोपान इनपुट मिलता है। सोपान अनुक्रिया का प्रतिशत अतिलंघन %OS ज्ञात कीजिए।
एक तंत्र का अंतरण फलन G(s) = 246/(s² + 10s + 82) है और इसे एकांक सोपान इनपुट मिलता है। ध्रुव s = σ ± jωd हैं। वास्तविक भाग σ ज्ञात कीजिए।
एक द्रव्यमान m = 8 kg एक स्प्रिंग k = 2000 N/m पर एक श्यान अवमंदक c = 126 N·s/m के साथ लटका है (m·x″ + c·x′ + k·x = F)। संतुलन में विराम की अवस्था में अचानक एक स्थिर बल F = 5 N लगाया जाता है। वह समय tp ज्ञात कीजिए जिस पर विस्थापन सबसे बड़ा है।
एक द्रव्यमान m = 4 kg एक स्प्रिंग k = 5000 N/m पर एक श्यान अवमंदक c = 57 N·s/m के साथ लटका है (m·x″ + c·x′ + k·x = F)। संतुलन में विराम की अवस्था में अचानक एक स्थिर बल F = 50 N लगाया जाता है। विस्थापन का प्रतिशत अतिलंघन %OS ज्ञात कीजिए।
उत्तर कुंजी
- 1. tr = 10327 ms
- 2. vC = 15.17 V
- 3. %OS = 66.88 %
- 4. σ = −5
- 5. tp = 0.2291 s
- 6. %OS = 52.39 %
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