एक अनावेशित संधारित्र C = 1 µF को 10 V सोपान स्रोत से एक प्रतिरोधक R = 1 kΩ के माध्यम से आवेशित किया जाता है। संधारित्र वोल्टता का 10–90 % उत्थान समय tr ms में ज्ञात कीजिए।
उत्तरों सहित सोपान अनुक्रिया वर्कशीट
एक अनावेशित संधारित्र C = 1 µF को 10 V सोपान स्रोत से एक प्रतिरोधक R = 2.2 kΩ के माध्यम से आवेशित किया जाता है। स्विच बंद करने के कितनी देर बाद संधारित्र वोल्टता अपने अंतिम मान के 99 % तक पहुँचती है? t ms में ज्ञात कीजिए।
एक तंत्र का अंतरण फलन G(s) = 35/(s² + 7s + 35) है और इसे एकांक सोपान इनपुट मिलता है। सोपान अनुक्रिया का प्रतिशत अतिलंघन %OS ज्ञात कीजिए।
एक तंत्र का अंतरण फलन G(s) = 24/(s² + 4s + 24) है और इसे एकांक सोपान इनपुट मिलता है। सोपान अनुक्रिया का प्रतिशत अतिलंघन %OS ज्ञात कीजिए।
एक एकांक ऋणात्मक पुनर्निवेश लूप में G(s) = 130/(s(s + 8)) है। ts ≈ 4/(ζωₙ) का उपयोग करके संवृत-लूप सोपान अनुक्रिया का 2 % स्थिरीकरण समय ts ज्ञात कीजिए।
R = 8 Ω, L = 10 mH और C = 100 µF वाला एक श्रेणी RLC परिपथ t = 0 पर 10 V सोपान से जोड़ा जाता है। सोपान से पहले संधारित्र अनावेशित है और कोई धारा नहीं बहती। पहले वोल्टता शिखर का समय tp ms में ज्ञात कीजिए।
उत्तर कुंजी
- 1. tr = 2.197 ms
- 2. t = 10.13 ms
- 3. %OS = 9.973 %
- 4. %OS = 24.54 %
- 5. ts = 1 s
- 6. tp = 3.428 ms
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