解答つきダイオードとトランジスタワークシート

3 V の直流電源が、3.3 kΩ の抵抗と順バイアスのシリコンダイオードの直列回路に電流を流す。 導通しているダイオード 1 個あたり 0.7 V の定電圧降下モデルを用いる。電流 I を mA で求めよ。

6 V の直流電源が、470 Ω の抵抗と順バイアスの 2 個のシリコンダイオードの直列回路に電流を流す。 導通しているダイオード 1 個あたり 0.7 V の定電圧降下モデルを用いる。電流 I を mA で求めよ。

β = 100 の NPN トランジスタが、電源 V_CC = 12 V からベース抵抗 R_B = 330 kΩ でバイアスされている。コレクタ抵抗は R_C = 1 kΩ で、エミッタは接地されている。V_BE = 0.7 V とし、トランジスタは活性領域にあると仮定する。 コレクタ電流 I_C を mA で求めよ。

β = 120 の NPN トランジスタが、電源 V_CC = 12 V からベース抵抗 R_B = 1000 kΩ でバイアスされている。コレクタ抵抗は R_C = 2.2 kΩ で、エミッタは接地されている。V_BE = 0.7 V とし、トランジスタは活性領域にあると仮定する。 コレクタ–エミッタ間電圧 V_CE を求めよ。

5.6 V のツェナーレギュレータが、負荷に最大 10 mA を供給しなければなりません。入力は 18 V まで下がることがあり、ツェナーが安定化するには少なくとも 2 mA が必要です。安定化を保てる最大の直列抵抗 R_max を求めなさい。

β = 80 の NPN トランジスタが、V_CC = 12 V とコレクタの間に接続された 220 Ω の負荷抵抗をスイッチングする。エミッタは接地されている。ベースは 5 V のロジック出力からベース抵抗 R_B を通して駆動される。V_BE = 0.7 V、V_CE(sat) = 0.2 V とする。 トランジスタをちょうど飽和させることのできる最大のベース抵抗 R_B を kΩ で求めよ。