3.3 V のツェナーダイオードに、330 Ω の抵抗を通して 9 V を加えます。負荷はつながれていません。抵抗を流れる電流 IR を求めなさい。
解答つきダイオードとトランジスタワークシート
5 V の直流電源が、1.5 kΩ の抵抗と順バイアスのシリコンダイオードの直列回路に電流を流す。 導通しているダイオード 1 個あたり 0.7 V の定電圧降下モデルを用いる。電流 I を mA で求めよ。
β = 150 の NPN トランジスタが、VCC = 15 V から分圧バイアスされている:VCC とベースの間に R₁ = 68 kΩ、ベースと接地の間に R₂ = 15 kΩ。コレクタ抵抗は RC = 1.5 kΩ、エミッタ抵抗は RE = 470 Ω である。VBE = 0.7 V とし、分圧回路のテブナン等価回路を用いよ(ベース電流は無視しない)。 コレクタ–エミッタ間電圧 VCE を求めよ。
β = 200 の NPN トランジスタが、VCC = 18 V から分圧バイアスされている:VCC とベースの間に R₁ = 100 kΩ、ベースと接地の間に R₂ = 10 kΩ。コレクタ抵抗は RC = 5.6 kΩ、エミッタ抵抗は RE = 470 Ω である。VBE = 0.7 V とし、分圧回路のテブナン等価回路を用いよ(ベース電流は無視しない)。 コレクタ電流 IC を mA で求めよ。
ダイオードを、0.65 V と 25 Ω の直列(0.65 V 以上で導通)としてモデル化します。これを 150 Ω の抵抗と直列にして 6 V の電源につなぎます。ダイオードの直線が負荷線と交わる動作電流 ID を求めなさい。
β = 150 の NPN トランジスタが、VCC = 5 V とコレクタの間に接続された 470 Ω の負荷抵抗をスイッチングする。エミッタは接地されている。ベースは 3.3 V のロジック出力からベース抵抗 RB を通して駆動される。VBE = 0.7 V、VCE(sat) = 0.2 V とする。 トランジスタをちょうど飽和させることのできる最大のベース抵抗 RB を kΩ で求めよ。
解答
- 1. IR = 17.27 mA
- 2. I = 2.867 mA
- 3. VCE = 7.852 V
- 4. IC = 1.808 mA
- 5. ID = 30.57 mA
- 6. RB = 38.19 kΩ
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