15 V の直流電源が抵抗 R₁ = 470 Ω を通して節点 X につながっている。節点 X から電源の負端子までは 2 つの並列な経路がある:抵抗 R₂ = 1.5 kΩ と、アノードを X 側にしたシリコンダイオードである。0.7 V の定電圧降下モデルを用いる。ダイオード電流 ID を mA で求めよ。
解答つきダイオードとトランジスタワークシート
9.1 V のツェナーダイオードに、150 Ω の抵抗を通して 18 V を加えます。負荷はつながれていません。抵抗を流れる電流 IR を求めなさい。
β = 100 の NPN トランジスタが、VCC = 20 V から分圧バイアスされている:VCC とベースの間に R₁ = 100 kΩ、ベースと接地の間に R₂ = 15 kΩ。コレクタ抵抗は RC = 3.3 kΩ、エミッタ抵抗は RE = 1.5 kΩ である。VBE = 0.7 V とし、分圧回路のテブナン等価回路を用いよ(ベース電流は無視しない)。 コレクタ–エミッタ間電圧 VCE を求めよ。
5 個の 緑 LED(順方向電圧は各 2.2 V)が、抵抗と直列に 12 V の電源につながれています。電流を 15 mA にする抵抗値 R を求めなさい。
β = 150 の NPN トランジスタが、VCC = 12 V とコレクタの間に接続された 1 kΩ の負荷抵抗をスイッチングする。エミッタは接地されている。ベースは 3.3 V のロジック出力からベース抵抗 RB を通して駆動される。VBE = 0.7 V、VCE(sat) = 0.2 V とする。 確実にスイッチングさせるため、ベース電流を飽和に必要な最小値の 2 倍に設計する。RB を kΩ で求めよ。
β = 150 の NPN トランジスタが、VCC = 24 V とコレクタの間に接続された 220 Ω の負荷抵抗をスイッチングする。エミッタは接地されている。ベースは 3.3 V のロジック出力からベース抵抗 RB を通して駆動される。VBE = 0.7 V、VCE(sat) = 0.2 V とする。 トランジスタをちょうど飽和させることのできる最大のベース抵抗 RB を kΩ で求めよ。
解答
- 1. ID = 29.96 mA
- 2. IR = 59.33 mA
- 3. VCE = 14.41 V
- 4. R = 66.67 Ω
- 5. RB = 16.53 kΩ
- 6. RB = 3.605 kΩ
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