解答つきダイオードとトランジスタワークシート

12 V の直流電源が抵抗 R₁ = 2.2 kΩ を通して節点 X につながっている。節点 X から電源の負端子までは 2 つの並列な経路がある：抵抗 R₂ = 1 kΩ と、アノードを X 側にしたシリコンダイオードである。0.7 V の定電圧降下モデルを用いる。ダイオード電流 I_D を mA で求めよ。

6.2 V のツェナーダイオードに、150 Ω の抵抗を通して 12 V を加えます。負荷はつながれていません。抵抗を流れる電流 I_R を求めなさい。

β = 100 の NPN トランジスタが、電源 V_CC = 12 V からベース抵抗 R_B = 470 kΩ でバイアスされている。コレクタ抵抗は R_C = 1.5 kΩ で、エミッタは接地されている。V_BE = 0.7 V とし、トランジスタは活性領域にあると仮定する。 コレクタ–エミッタ間電圧 V_CE を求めよ。

β = 75 の NPN トランジスタが、電源 V_CC = 9 V からベース抵抗 R_B = 100 kΩ でバイアスされている。コレクタ抵抗は R_C = 1.2 kΩ で、エミッタは接地されている。V_BE = 0.7 V とし、トランジスタは活性領域にあると仮定する。 コレクタ–エミッタ間電圧 V_CE を求めよ。

β = 100 の NPN トランジスタが、V_CC = 5 V とコレクタの間に接続された 680 Ω の負荷抵抗をスイッチングする。エミッタは接地されている。ベースは 5 V のロジック出力からベース抵抗 R_B を通して駆動される。V_BE = 0.7 V、V_CE(sat) = 0.2 V とする。 トランジスタをちょうど飽和させることのできる最大のベース抵抗 R_B を kΩ で求めよ。

β = 150 の NPN トランジスタが、V_CC = 5 V とコレクタの間に接続された 680 Ω の負荷抵抗をスイッチングする。エミッタは接地されている。ベースは 3.3 V のロジック出力からベース抵抗 R_B を通して駆動される。V_BE = 0.7 V、V_CE(sat) = 0.2 V とする。 確実にスイッチングさせるため、ベース電流を飽和に必要な最小値の 5 倍に設計する。R_B を kΩ で求めよ。