解答つきダイオードとトランジスタワークシート

15 V の直流電源が、3.3 kΩ の抵抗と順バイアスの 2 個のシリコンダイオードの直列回路に電流を流す。 導通しているダイオード 1 個あたり 0.7 V の定電圧降下モデルを用いる。電流 I を mA で求めよ。

5 V の直流電源が、220 Ω の抵抗と順バイアスのシリコンダイオードの直列回路に電流を流す。 導通しているダイオード 1 個あたり 0.7 V の定電圧降下モデルを用いる。電流 I を mA で求めよ。

β = 80 の NPN トランジスタが、V_CC = 18 V から分圧バイアスされている：V_CC とベースの間に R₁ = 68 kΩ、ベースと接地の間に R₂ = 12 kΩ。コレクタ抵抗は R_C = 1 kΩ、エミッタ抵抗は R_E = 1 kΩ である。V_BE = 0.7 V とし、分圧回路のテブナン等価回路を用いよ（ベース電流は無視しない）。 コレクタ–エミッタ間電圧 V_CE を求めよ。

β = 80 の NPN トランジスタが、電源 V_CC = 15 V からベース抵抗 R_B = 470 kΩ でバイアスされている。コレクタ抵抗は R_C = 1 kΩ で、エミッタは接地されている。V_BE = 0.7 V とし、トランジスタは活性領域にあると仮定する。 コレクタ–エミッタ間電圧 V_CE を求めよ。

6.2 V のツェナーレギュレータに 330 Ω の直列抵抗があります。入力は 21 V まで上がることがあり、負荷が外れることもあります。ツェナーが消費しなければならない最大電力 P_Z,max を求めなさい。

β = 80 の NPN トランジスタが、V_CC = 5 V とコレクタの間に接続された 150 Ω の負荷抵抗をスイッチングする。エミッタは接地されている。ベースは 3.3 V のロジック出力からベース抵抗 R_B を通して駆動される。V_BE = 0.7 V、V_CE(sat) = 0.2 V とする。 トランジスタをちょうど飽和させることのできる最大のベース抵抗 R_B を kΩ で求めよ。